薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管，包括多个半导体图案、栅极、源极及漏极。多个半导体图案彼此分离且在第一方向上排列。栅极与多个半导体图案重叠。源极与漏极电性连接于多个半导体图案。多个半导体图案包括在第一方向上依序排列的第一半导体图案、第二半导体图案及第三半导体图案。第一半导体图案在第一方向上具有第一宽度W1。第二半导体图案在第一方向上具有第二宽度W2，且W2

Thin Film Transistor

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管
本专利技术是有关于一种主动元件，且特别是有关于一种薄膜晶体管。
技术介绍
随着显示科技的发展，显示面板的应用范围日益广泛。近几年来，显示面板于车载装置上的应用逐渐受到重视，举凡车用仪表板、后视镜、或多媒体显示器都可见其踪迹。此外，应用于车用显示领域的显示面板须通过更为严苛的信赖性(reliability)测试，以因应户外较为严苛的操作环境，例如高温、高湿及车用供电系统的高输出功率。然而，一般显示面板所使用的薄膜晶体管在车载系统的高电压驱动下，易产生更多的热能，使薄膜晶体管的电性在长时间的操作下劣化，例如漏电流(leakagecurrent)的增加及开启电流(oncurrent)的下降。因此，如何提升薄膜晶体管在高电压操作下的散热效率是各面板厂所亟欲解决的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管，信赖性佳。本专利技术一实施例的薄膜晶体管，包括多个半导体图案、栅极、源极以及漏极。多个半导体图案彼此分离且在第一方向上排列。栅极与多个半导体图案重叠。源极与漏极电性连接于多个半导体图案。多个半导体图案包括在第一方向上依序排列的第一半导体图案、第二半导体图案及第三半导体图案。第一半导体图案在第一方向上具有第一宽度W1，第二半导体图案在第一方向上具有第二宽度W2，第三半导体图案在第一方向上具有第三宽度W3，W2<W1，且W2<W3。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜晶体管的多个半导体图案更包括第四半导体图案。第四半导体图案设置于第一半导体图案与第二半导体图案之间。第四半导体图案在第一方向上具有第四宽度W4，W2≤W4<W1。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜晶体管的的多个半导体图案更包括第五半导体图案及第六半导体图案。第五半导体图案设置于第一半导体图案与第四半导体图案之间，且在第一方向上具有第五宽度W5，W4<W5≤W1。第六半导体图案设置于第二半导体图案与第三半导体图案之间，且在第一方向上具有第六宽度W6，W2<W6≤W3。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜晶体管的W1＝W3＝W5＝W6，且W2＝W4。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜晶体管的第二半导体图案与第四半导体图案在第一方向上具有第一间距S1，第一半导体图案与第五半导体图案在第一方向上具有第二间距S2，第三半导体图案与第六半导体图案在第一方向上具有第三间距S3，S1>S2，且S1>S3。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜晶体管的S2＝S3。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜晶体管的第一间距与第二间距的比值为S1/S2，而1.5≤S1/S2≤10。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜晶体管的第一宽度与第二宽度的比值为W1/W2，而1.5≤W1/W2≤8。在本专利技术的一实施例中，上述的薄膜晶体管的第一宽度与第二宽度的比值W1/W2符合下式：2≤W1/W2≤6。基于上述，本专利技术的一实施例的薄膜晶体管包括依序排列且彼此分离的第一半导体图案、第二半导体图案及第三半导体图案。由于第一半导体图案、第二半导体图案及第三半导体图案彼此分离，且第二半导体图案的第二宽度小于第一半导体图案的第一宽度及第三半导体图案的第三宽度，因此薄膜晶体管的散热效率高，进而能提升薄膜晶体管在高电压操作下的信赖性(reliability)。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术一实施例的薄膜晶体管的示意图。图2为图1的薄膜晶体管的剖面示意图。图3为本专利技术一实施例的薄膜晶体管在不同操作条件下的电流对电压的特性曲线(I-Vcurve)图。其中，附图标记：10：薄膜晶体管100：基板200、210、220、230、240、250、260：半导体图案200a：第一部200b：第二部300：绝缘层300a：第一接触窗300b：第二接触窗400：栅极410：第一直线部420：第二直线部500：平坦层500a：第三接触窗500b：第四接触窗610：源极620：漏极D1、D2：方向S1：第一间距S2：第二间距S3：第三间距W1～W6：第一宽度～第六宽度A-A’、B-B’、C-C’：剖线具体实施方式现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于所附图式中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。图1为本专利技术一实施例的薄膜晶体管10的示意图。图2为图1的薄膜晶体管的剖面示意图。特别是，图2对应图1的剖线A-A’。请参照图1及图2，本实施例的薄膜晶体管10适于设置在基板100上。而基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。在本实施例中，薄膜晶体管10包括多个半导体图案200。多个半导体图案200彼此分离且沿方向D1排列于基板100上。详细而言，多个半导体图案200包括在方向D1上依序排列的第一半导体图案210、第二半导体图案220及第三半导体图案230。第一半导体图案210在方向D1上具有第一宽度W1。第二半导体图案220在方向D1上具有第二宽度W2，且第二半导体图案220的第二宽度W2小于第一半导体图案210的第一宽度W1。第三半导体图案230在方向D1上具有第三宽度W3，且第二半导体图案220的第二宽度W2小于第三半导体图案230的第三宽度W3。举例而言，在本实施例中，第一半导体图案210的第一宽度W1实质上等于第三半导体图案230的第三宽度W3，但本专利技术不以此为限，根据其它实施例，第一半导体图案210的第一宽度W1也可小于第三半导体图案230的第三宽度W3。多个半导体图案200还可包括第四半导体图案240，设置于第一半导体图案210与第二半导体图案220之间。第四半导体图案240在方向D1上具有第四宽度W4，且第四半导体图案240的第四宽度W4小于第一半导体图案210的第一宽度W1。举例而言，在本实施例中，第四半导体图案240的第四宽度W4实质上等于第二半导体图案220的第二宽度W2，但本专利技术不限于此，根据其它实施例，第四半导体图案240的第四宽度W4可大于第二半导体图案220的第二宽度W2。在本实施例中，多个半导体图案200还可包括第五半导体图案250，设置于第一半导体图案210与第四半导体图案240之间。第五半导体图案250在方向D1上具有第五宽度W5，且第五半导体图案250的第五宽度W5大于第四半导体图案240的第四宽度W4。举例而言，在本实施例中，第五半导体图案250的第五宽度W5实质上等于第一半导体图案210的第一宽度W1，但本专利技术不限于此，根据其它实施例，第五半导体图案250的第五宽度W5可小于第一半导体图案210的第一宽度W1。特别是，在本实施例中，薄膜晶体管10还可包括多个半导体图案200，设置于第五半导体图案250与第四半导体图案240之间，且位于第五半导体图案250与第四半导体图案240之间的每一半导体图案200在方向D1上的宽度实质上等于第四半导体图案240的第四宽度W4，但本专利技术不以此为限。多个半导体图案200还可包括第六半导体图案260，设置于第二半导体图案220与第三半导体图案230之间。第六半导体图案260在方向D1上具有第六宽度W6，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：多个半导体图案，彼此分离且在一第一方向上排列；一栅极，与该些半导体图案重叠；以及一源极及一漏极，电性连接于该些半导体图案，其中该些半导体图案包括在该第一方向上依序排列的一第一半导体图案、一第二半导体图案及一第三半导体图案，该第一半导体图案在该第一方向上具有一第一宽度W1，该第二半导体图案在该第一方向上具有一第二宽度W2，该第三半导体图案在该第一方向上具有一第三宽度W3，W2<W1，且W2<W3。

【技术特征摘要】
2018.12.05 TW 1071437801.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：多个半导体图案，彼此分离且在一第一方向上排列；一栅极，与该些半导体图案重叠；以及一源极及一漏极，电性连接于该些半导体图案，其中该些半导体图案包括在该第一方向上依序排列的一第一半导体图案、一第二半导体图案及一第三半导体图案，该第一半导体图案在该第一方向上具有一第一宽度W1，该第二半导体图案在该第一方向上具有一第二宽度W2，该第三半导体图案在该第一方向上具有一第三宽度W3，W2<W1，且W2<W3。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该些半导体图案更包括：一第四半导体图案，设置于该第一半导体图案与该第二半导体图案之间，其中该第四半导体图案在该第一方向上具有一第四宽度W4，W2≤W4<W1。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该些半导体图案更包括：一第五半导体图案，设置于该第一半导体图案与该第四半导体图案之间，其中该第五半导体图案在该第一方向上具有一第五宽度W5，W4...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘政祐，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71