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本发明公开了一种薄膜晶体管，包括多个半导体图案、栅极、源极及漏极。多个半导体图案彼此分离且在第一方向上排列。栅极与多个半导体图案重叠。源极与漏极电性连接于多个半导体图案。多个半导体图案包括在第一方向上依序排列的第一半导体图案、第二半导体图案...
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