【技术实现步骤摘要】
一种非对称的SARADC电容开关时序电路及方法
本专利技术属于电子电路集成领域,具体涉及一种非对称的SARADC电容开关时序电路及方法。
技术介绍
近年来,随着可穿戴设备的推广和精密的生物仪器的发展,导致各种系统对模数转换器(ADC)的要求也越来越高。常见的ADC主要有FlashADC、流水线ADC、Sigma-deltaADC和逐次逼近型ADC(SARADC),与其他ADC相比,SARADC具有结构简单、版图面积小、功耗低等特点,且与现代CMOS工艺兼容较好。因此,近年来,SARADC被广泛应用于低功耗,精度中等且速度适中的数模混合集成电路设计领域。随着科技的进步和电源电压的降低,DAC的电容阵列在SARADC设计的总功耗中占据主导地位。因此降低这部分电容的大小对减小DAC的功耗与面积尤为重要。如今科学家们提出了几种开关切换方案以降低SARADC的开关功耗,如分离电容开关时序(splitcapacitor)、单调电容开关时序(monotonic)以及新的三电平开关时序(newtri-levelscheme)等。然而,这些方法都只能在一定程度上降低SARADC的开 ...
【技术保护点】
1.一种非对称的SAR ADC电容开关时序电路,其特征在于,包括:主电容阵列(1),辅助电容阵列(2),比较器(3),第一开关组(4),第二开关组(5),第三开关组(6),第一输入端(VIP)以及第二输入端(VIN);其中,所述主电容阵列(1)通过第一开关组(4)连接所述比较器(3);所述第一输入端(VIP)和所述第二输入端(VIN)通过第二开关组(5)连接所述主电容阵列(1);所述主电容阵列(1)通过开关Sp2连接所述辅助电容阵列(2);所述辅助电容阵列(2)通过第三开关组(6)连接Vcm端。
【技术特征摘要】
1.一种非对称的SARADC电容开关时序电路,其特征在于,包括:主电容阵列(1),辅助电容阵列(2),比较器(3),第一开关组(4),第二开关组(5),第三开关组(6),第一输入端(VIP)以及第二输入端(VIN);其中,所述主电容阵列(1)通过第一开关组(4)连接所述比较器(3);所述第一输入端(VIP)和所述第二输入端(VIN)通过第二开关组(5)连接所述主电容阵列(1);所述主电容阵列(1)通过开关Sp2连接所述辅助电容阵列(2);所述辅助电容阵列(2)通过第三开关组(6)连接Vcm端。2.根据权利要求1所述的开关时序电路,其特征在于,所述主电容阵列(1)包括第一电容阵列(11)和第二电容阵列(12),所述辅助电容阵列(2)包括第三电容阵列(21)和第四电容阵列(22);所述第一开关组(4)包括开关Sp1和开关Sn1,所述第二开关组(5)包括开关Sp3和开关Sn3,所述第三开关组(6)包括开关Sp4和开关Sn4;所述第一电容阵列(11)的上极板通过所述开关Sp1连接所述比较器(3)的同相输入端,所述第二电容阵列(12)的上极板通过所述开关Sn1连接所述比较器(3)的反相输入端;所述第一输入端(VIP)通过所述开关Sp3连接所述第一电容阵列(11)的上极板,所述第二输入端(VIN)通过开关Sn3连接所述第二电容阵列的上极板;所述第三电容阵列(21)的上极板连接所述第四电容阵列(22)的上极板,所述第三电容阵列(21)的下极板连接所述第四电容阵列(22)的下极板;所述第四电容阵列(22)的上极板通过所述开关Sp4连接Vcm端,所述第四电容阵列(22)的下极板通过所述开关Sn4连接Vcm端。3.根据权利要求2所述的开关时序电路,其特征在于,所述第一电容阵列(11)包括依次并行连接的电容CP1、电容CP2、……电容CP4以及dummy电容Csp,所述电容Csp通过所述开关Sp2与辅助电容阵列(22)的上极板、Vref端以及地端连接;其中,所述电容C...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱樟明,岳培艺,张延博,刘术彬,王静宇,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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