包括相变材料层的半导体存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术实施例涉及包括相变材料层的半导体存储器件及其制造方法。设置在衬底上方的半导体存储器件包括共用电极、围绕共用电极的选择材料层和与选择材料层接触的多个相变材料层。

Semiconductor memory device including phase change material layer and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
包括相变材料层的半导体存储器件及其制造方法
本专利技术实施例涉及包括相变材料层的半导体存储器件及其制造方法。
技术介绍
相变随机存取存储器(PCRAM)是一种利用不同的电阻相位和相变材料相位间的热感应相变的非易失性存储器件。PCRAM由许多单元组成，每个单元均独立工作。PCRAM单元主要包括加热器和电阻器，其是主要由可逆相变材料制成的数据存储元件，以针对逻辑“0”状态和“1”状态提供至少两个显著不同的电阻率。为了从PCRAM单元读取状态(数据)，将足够小的电流施加至相变材料而不触发加热器产生热量。以这种方式，可以测量相变材料的电阻率，并且可以读取表示电阻率的状态，即，高电阻率的“0”状态或低电阻率的“1”状态。为了在PCRAM单元中写入状态(数据)，例如为了写入表示相变材料的低电阻率相的“1”状态，将中等电流施加至加热器，该加热器产生热量，以用于在高于相变材料的结晶温度但低于相变材料的熔化温度的温度下退火相变材料的一段时间以实现结晶相。为了写入表示相变材料的高电阻率相的“0”状态，将非常大的电流施加至加热器以产生热量，以在高于相变材料的熔化温度的温度下熔化相变材料；并且突然切断电流以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设置在衬底上方的半导体存储器件，包括：共用电极；选择材料层，围绕所述共用电极；以及多个相变材料层，与所述选择材料层接触。

【技术特征摘要】
2018.02.27 US 15/906,8271.一种设置在衬底上方的半导体存储器件，包括：共用电极；选择材料层，围绕所述共用电极；以及多个相变材料层，与所述选择材料层接触。2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：所述共用电极具有在垂直于所述衬底的表面的第一方向上延伸的柱状形状，以及所述多个相变材料层布置在所述第一方向上，其中，一个或多个层间介电(ILD)层插入在所述多个相变材料层之间。3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述多个相变材料层的每个均围绕所述选择材料层。4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述多个相变材料层的每个均具有环形形状。5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述选择材料层包括在所述第一方向上延伸并且设置在所述共用电极上的垂直延伸部分以及在与所述衬底的表面平行的第二方向上从所述垂直延伸部分延伸并且分别与所述多个相变材料层接触的多个凸缘部分。6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述多个相变材料层均包括选自由Ge、Ga、Sn和In组成的组的一种或多种以及选自由Sb和Te组成的组的一种或多种。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昭谊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71