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本发明实施例涉及包括相变材料层的半导体存储器件及其制造方法。设置在衬底上方的半导体存储器件包括共用电极、围绕共用电极的选择材料层和与选择材料层接触的多个相变材料层。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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