含阵列内哑元的MRAM阵列制造技术

本发明专利技术公开了一种含阵列内哑元的MRAM阵列，包括：源线与位线垂直布局，其中，所述MRAM阵列分为多个子阵列，每一所述子阵列有一条公共源线和所有的源线连接，并和位线平行，所述公共源线占据一列的空间。本发明专利技术较之于现有技术，有效解决了现有技术中SL另外走线导致的影响蚀刻质量的问题，通过将一位线作为公共的源线，并且对应的通过将磁性隧道结制作成哑元的结构，通过哑元连接有源区，进而连接到衬底，巧妙的改造了磁性隧道结，在不影响蚀刻质量的基础上降低了成本，本发明专利技术布局合理。

MRAM Array with Dummies in Array

【技术实现步骤摘要】
含阵列内哑元的MRAM阵列
本专利技术涉及一种MRAM阵列，尤其涉及一种含阵列内哑元的MRAM阵列。
技术介绍
MRAM是一种新的内存和存储技术，可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写，还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。MRAM的原理，是基于一个叫做MTJ(磁性隧道结)的结构。它是由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料组成的。下面的一层铁磁材料是具有固定磁化方向的参考层，上面的铁磁材料是可变磁化方向的记忆层，它的磁化方向可以和固定磁化层相平行或反平行。由于量子物理的效应，电流可以穿过中间的隧道势垒层，但是MTJ的电阻和可变磁化层的磁化方向有关。前一种情况电阻低，后一种情况电阻高。读取MRAM的过程就是对MTJ的电阻进行测量。使用比较新的STT-MRAM技术，写MRAM也比较简单：使用比读更强的电流穿过MTJ进行写操作。一个自下而上的电流把可变磁化层置成与固定层平行的方向，自上而下的电路把它置成反平行的方向。每个MRAM的记忆单元由一个MTJ和一个MOS管组成。MOS管的gate连接到芯片的WordLine负责接通或切断这个单元，MTJ和MOS管串接在芯片的Bi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含阵列内哑元的MRAM阵列，包括：源线与位线垂直布局，其特征在于，所述MRAM分为多个子阵列，每一所述子阵列有一条公共源线和所有的源线连接，并和位线平行，所述公共源线占据一列的空间。

【技术特征摘要】
1.一种含阵列内哑元的MRAM阵列，包括：源线与位线垂直布局，其特征在于，所述MRAM分为多个子阵列，每一所述子阵列有一条公共源线和所有的源线连接，并和位线平行，所述公共源线占据一列的空间。2.根据权利要求1所述的含阵列内哑元的MRAM阵列，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31