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本发明公开了一种含阵列内哑元的MRAM阵列，包括：源线与位线垂直布局，其中，所述MRAM阵列分为多个子阵列，每一所述子阵列有一条公共源线和所有的源线连接，并和位线平行，所述公共源线占据一列的空间。本发明较之于现有技术，有效解决了现有技术中S...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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