【技术实现步骤摘要】
一种实现硅片之间精密粘合的粘片装置
本技术属于硅(晶)片加工技术装置领域，特别涉及一种硅片单面研磨或减薄加工过程中使用的实现硅片之间精密粘合的装置。
技术介绍
硅晶体管自问世以来不断推出新型硅功率器件和半导体制造新工艺技术，然而其基础结构是通过高温下III族(硼、铝、镓)、V族(磷)元素半导体杂质的掺杂扩散形成，为了形成N-/N+、P-/P+、N-/P+、P-/N+型深结结构，需要将其中一面N+或P+层研磨去除，对于整流器件则需要将其中一面N或P层去除，传统单面去除方式：将硅片使用吸盘或蜡将硅片固定，另外一面使用减薄机减薄。由于砂轮尺寸以及设备本身限制只能单片或单行减薄，加工效率低下，砂轮的磨损还会导致减薄后硅片平行度变劣，加工一致性差，因其移动轨迹固定，减薄后硅片表面会留有减薄纹理，影响器件外观效果。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术提供一种可以实现硅片与硅片之间精密粘合的装置，其即保证了硅片加工精度、表面的一致性，又可以实现批量加工。本技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现。依据本技术提出的一种实现硅片之间精密粘合的粘片装置，包括配套使用的粘接...
【技术保护点】
1.一种实现硅片之间精密粘合的粘片装置，其特征在于包括配套使用的粘接台和压片台，所述粘接台包括预压板、加热板，该预压板下方设有四氟板，该加热板上设有陶瓷板，该陶瓷板上开设有并列设置的多个硅片放置槽，每个硅片放置槽的一侧开设有取片口；所述压片台包括上压板、盛片台，该上压板下设有第一隔热软垫，该盛片台的凹槽内设有第二隔热软垫。
【技术特征摘要】
1.一种实现硅片之间精密粘合的粘片装置，其特征在于包括配套使用的粘接台和压片台，所述粘接台包括预压板、加热板，该预压板下方设有四氟板，该加热板上设有陶瓷板，该陶瓷板上开设有并列设置的多个硅片放置槽，每个硅片放置槽的一侧开设有取片口；所述压片台包括上压板、盛片台，该上压板下设有第一隔热软垫，该盛片台的凹槽内设有第二隔热软垫。2.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：周涛，王振国，蒋建国，
申请(专利权)人：洛阳鸿泰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41
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