【技术实现步骤摘要】
半导体硅片局部掺杂装置
本技术涉及一种半导体硅片处理装置，尤其涉及一种用于对半导体硅片进行局部掺杂的掺杂装置。
技术介绍
众所周知的硅片是一种常见的半导体材质，其分为单晶硅和多晶硅，常用于太阳能电池的应用中；硅片是一种由硅原子组成的晶格。为了实现半导体的功能，需要向硅原子构成的的晶格掺入其它原子去改变硅原子晶格的特性。在太阳能电池的生产中，掺杂透过高温扩散实现，其方法是将整个硅片进行加热并放置于掺杂气体中，透过其它分子的分解与离子碰撞让杂质原子加入到硅原子的晶格阵列中，但是这种方式不能实现半导体硅片的局部区域或点的掺杂，掺杂是向整个半导体硅片进行的，并且由于对半导体硅片进行的是整体加热，能耗高且无法控制掺杂的深度及状态。因此，亟需一种能对半导体硅片进行局部掺杂的装置。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种能对半导体硅片进行局部掺杂的装置。为实现上述目的，本技术提供了一种半导体硅片局部掺杂装置，其包括激光发射器、反射镜、物镜组件及掺杂室，所述反射镜呈倾斜设置，所述激光发射器正对所述反射镜；所述物镜组件正对所述反射镜，所述物镜组件呈对激光进行汇聚的聚光结构，，所述物镜组件位...
【技术保护点】
1.一种半导体硅片局部掺杂装置，其特征在于，包括：激光发射器；反射镜，所述反射镜呈倾斜设置，所述激光发射器正对所述反射镜；物镜组件，所述物镜组件呈对激光进行汇聚的聚光结构，所述物镜组件正对所述反射镜，所述物镜组件位于所述激光发射器的下方，所述激光发射器发射出的激光经所述反射镜反射后射入所述物镜组件中；掺杂室，所述掺杂室呈中空结构，所述中空结构形成掺杂腔，所述掺杂腔中设置有用于承载半导体硅片的承载件，所述掺杂室开设有进出口及用于输入掺杂气体离子的进气口，所述进出口处设置有开闭所述进出口的闸门，所述掺杂室开设有正对所述物镜组件的激光射入口，所述激光射入口位于所述承载件与所述物镜...
【技术特征摘要】
1.一种半导体硅片局部掺杂装置，其特征在于，包括：激光发射器；反射镜，所述反射镜呈倾斜设置，所述激光发射器正对所述反射镜；物镜组件，所述物镜组件呈对激光进行汇聚的聚光结构，所述物镜组件正对所述反射镜，所述物镜组件位于所述激光发射器的下方，所述激光发射器发射出的激光经所述反射镜反射后射入所述物镜组件中；掺杂室，所述掺杂室呈中空结构，所述中空结构形成掺杂腔，所述掺杂腔中设置有用于承载半导体硅片的承载件，所述掺杂室开设有进出口及用于输入掺杂气体离子的进气口，所述进出口处设置有开闭所述进出口的闸门，所述掺杂室开设有正对所述物镜组件的激光射入口，所述激光射入口位于所述承载件与所述物镜组件之间，射入所述物镜组...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。