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本实用新型公开一种半导体硅片局部掺杂装置，其包括激光发射器、反射镜、物镜组件及掺杂室，激光发射器发射出的激光经反射镜反射后射入物镜组件中；掺杂室呈中空结构，中空结构形成掺杂腔，掺杂腔中设置有用于承载半导体硅片的承载件，掺杂室开设有进出口及用...
该专利属于黄剑鸣所有，仅供学习研究参考，未经过黄剑鸣授权不得商用。

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