谐振薄膜层、谐振器和滤波器制造技术

本申请提供一种谐振薄膜层、谐振器和滤波器，该谐振薄膜层包括第一电极层，设置在第一晶圆上；压电层，设置在所述第一电极层上；第二电极层，设置在所述压电层上；可调整层，设置在所述第二电极层上，配重图案，实施于所述可调整层上设置在所述第二电极层上，用于调整所述配重图案的不同重量，以调整所述谐振薄膜谐振薄膜层的不同工作频率。本申请实现了根据需要调整谐振薄膜层的配重图案，进而使不同的谐振薄膜层具有不同的工作频率。

Resonant Thin Film Layer, Resonator and Filter

【技术实现步骤摘要】
谐振薄膜层、谐振器和滤波器
本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种谐振薄膜层、谐振器和滤波器。
技术介绍
薄膜体声波谐振器，其基本原理是采用谐振技术，通过压电薄膜的逆压电效应将电能量转换成声波而形成谐振，这一谐振技术可以用来制作薄膜频率整形器件等先进元器件，薄膜体声波谐振器声波器件具有体积小、成本低、品质因数高、功率承受能力强、频率高(可达1-10GHz)且与IC技术兼容等特点。在无线收发器中实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能，因此在无线通信领域得到广泛应用。现有的薄膜体声波谐振器结构一般包括上电极层、下电极层以及夹在上电极层与下电极层之间的压电层。但是这种结构的谐振器的频率比较单一，无法满足人们对于谐振器工作频率多样性的需求。
技术实现思路
本申请实施例的目的在于提供一种谐振薄膜层、谐振器和滤波器，用以实现根据需要调整谐振薄膜层的配重图案，进而使不同的谐振薄膜层具有不同的工作频率。本申请实施例第一方面提供了一种谐振薄膜层，包括：第一电极层，设置在第一晶圆上；压电层，设置在所述第一电极层上；第二电极层，设置在所述压电层上；可调整层，设置在所述第二电极层上，配重图案实施于所述可调本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种谐振薄膜层，其特征在于，包括：第一电极层，设置在第一晶圆上；压电层，设置在所述第一电极层上；第二电极层，设置在所述压电层上；可调整层，设置在所述第二电极层上，配重图案实施于所述可调整层上，用于调整所述配重图案的不同重量，以调整所述谐振薄膜层的不同工作频率。

【技术特征摘要】
1.一种谐振薄膜层，其特征在于，包括：第一电极层，设置在第一晶圆上；压电层，设置在所述第一电极层上；第二电极层，设置在所述压电层上；可调整层，设置在所述第二电极层上，配重图案实施于所述可调整层上，用于调整所述配重图案的不同重量，以调整所述谐振薄膜层的不同工作频率。2.根据权利要求1所述的谐振薄膜层，其特征在于，所述配重图案不贯穿所述可调整层。3.根据权利要求2所述的谐振薄膜层，其特征在于，所述配重图案的厚度范围为占所述可调整层的厚度的20％～80％。4.根据权利要求1所述的谐振薄膜层，其特征在于，所述可调整层厚度范围为200A至4000A。5.根据权利要求1所述的谐振薄膜层，其特征在于，所述第二电极层厚度范围为1000A至5000A。6.一种谐振薄膜层，其特征在于，包括：第一电极层，设置在第一晶圆上；压电层，设置在所述第一电极层上；第二电极层，设置在所述压电层上；可调整层，设置在所述第二电极层上，配重图案实施于所述可调整层和所述第二电极层上，用于调整所述配重图案的不同重量，以调整所述谐振薄膜层的不同工作频率。7.根据权利要求6所述的谐振薄膜层，其特征在于，所述配重图案贯穿所述可调整层，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志东，谢祥政，罗捷，尚荣耀，朱庆芳，杨濬哲，侯汉成，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35