半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第二导电型的第三半导体区域；第一导电型的第四半导体区域；栅极电极；第一导电型的第五半导体区域；第二导电型的第六半导体区域；第二导电型的第七半导体区域；第二导电型的第八半导体区域；第二电极。第一半导体区域具有：第一部分、第二部分、第三部分。第二半导体区域设于第一部分的下方。第三半导体区域设于第一部分的上方。第四半导体区域设于第三半导体区域的上方。第五半导体区域设于第二部分的下方。第六半导体区域设于第二部分的上方。第七半导体区域设于第三部分的上方。第八半导体区域的第二区域的下端位于第一区域的下端的上方。

Semiconductor Device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置关联申请本申请享受以日本专利申请2018－29695号(申请日：2018年2月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。
本专利技术的实施方式一般涉及半导体装置。
技术介绍
存在具备作为绝缘栅型双极晶体管(IGBT：InsulatedGateBipolarTransistor)的功能和作为续流二极管(FWD：FreeWheelDiode)的功能的逆导型(RC：ReverseConducting)IGBT(RC-IGBT)。在该半导体装置中，希望不易产生破坏。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供不易产生破坏的半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第二导电型的第三半导体区域；第一导电型的第四半导体区域；栅极电极；第一导电型的第五半导体区域；第二导电型的第六半导体区域；第二导电型的第七半导体区域；第二导电型的第八半导体区域；以及，第二电极。上述第一半导体区域设于上述第一电极的上方，并与上述第一电极电连接。上述第一半导体区域具有第一部分、第二部分、以及在第一方向上位于上述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域，设于上述第一电极的上方，上述第一半导体区域具有第一部分、第二部分、以及在第一方向上位于上述第一部分与上述第二部分之间的第三部分；第二导电型的第二半导体区域，设于上述第一电极与上述第一部分之间；第二导电型的第三半导体区域，设于上述第一部分的上方，从上述第二半导体区域朝向上述第三半导体区域的第二方向垂直于上述第一方向；第一导电型的第四半导体区域，设于上述第三半导体区域的上方；栅极电极，在上述第一方向上，隔着栅极绝缘层而与上述第一半导体区域的一部分、上述第三半导体区域、以及上述第四半导体区域的至少一部分对置；第一导电型的第五半导体区域，...

【技术特征摘要】
2018.02.22 JP 2018-0296951.一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域，设于上述第一电极的上方，上述第一半导体区域具有第一部分、第二部分、以及在第一方向上位于上述第一部分与上述第二部分之间的第三部分；第二导电型的第二半导体区域，设于上述第一电极与上述第一部分之间；第二导电型的第三半导体区域，设于上述第一部分的上方，从上述第二半导体区域朝向上述第三半导体区域的第二方向垂直于上述第一方向；第一导电型的第四半导体区域，设于上述第三半导体区域的上方；栅极电极，在上述第一方向上，隔着栅极绝缘层而与上述第一半导体区域的一部分、上述第三半导体区域、以及上述第四半导体区域的至少一部分对置；第一导电型的第五半导体区域，设于上述第一电极与上述第二部分之间；第二导电型的第六半导体区域，设于上述第二部分的上方；第二导电型的第七半导体区域，设于上述第三部分的上方；第二导电型的第八半导体区域，包围上述第三半导体区域、上述第六半导体区域以及上述第七半导体区域，上述第八半导体区域具有：第一区域，上述第一区域的一部分在垂直于上述第一方向以及上述第二方向的第三方向上与上述第三半导体区域并排；以及第二区域，上述第二区域的一部分在上述第三方向上与上述第七半导体区域并排，上述第二区域的下端位于比上述第一区域的下端更上方的位置；以及第二电极，设于上述第四半导体区域、上述第六半导体区域、上述第七半导体区域以及上述第八半导体区域的上方，上述第二电极与上述第四半导体区域、上述第六半导体区域、上述第七半导体区域以及上述第八半导体区域电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述第二区域的第二导电型的杂质浓度比上述第一区域的第二导电型的杂质浓度低。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具备多个上述栅极电极，上述多个栅极电极中的一个栅极电极在上述第一方向上位于上述第七半导体区域与上述多个栅极电极中的另一个栅极电极之间，上述多个栅极电极中的上述一个栅极电极的下端位于比上述多个栅极电极中的上述另一个栅极电极的下端更上方的位置。4.根据权利要求3所述的半导体装置，还具备：第一导电部，在上述第一方向上，隔着第一绝缘层而与上述第七半导体区域对置，上述第一导电部与上述第二电极电连接。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，上述第一导电部的下端位于比上述多个栅极电极中的各栅极电极的下端更上方的位置。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，上述第一导电部与上述第一导电部所相邻的上述栅极电极之间的上述第一方向上的距离比相邻的上述栅极电极彼此之间的上述第一方向上的距离短。7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，相邻的上述栅极电极彼此之间的上述第一方向上的距离越接近上述第一导电部越短。8.根据权利要求1所述的半导体装置，具备：多个上述第三半导体区域；以及第一导电型的多个第九半导体区域，上述多个第九半导体区域分别设于上述多个第三半导体区域与上述第一部分之间，上述多个第九半导体区域中的各第九半导体区域的第一导电型的杂质浓度比上述第一半导体区域的第一导电型的杂质浓度高，上述多个第九半导体区域中的一个第九半导体区域在上述第一方向上的位置位于上述第七半导体区域在上述第一方向上的位置与上述多个第九半导体区域中的另一个第九半导体区域在上述第一方向上的位置之间，上述多个第九半导体区域中的上述一个第九半导体区域的第一导电型的杂质浓度比上述多个第九半导体区域中的上述另一个第九半导体区域的第一导电型的杂质浓度低。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述第八半导体区域还具有第三区域，上述第二区域在上述第一方向上位于上述第一区域与上述第三区域之间，上述第三区域的一部分在上述第三方向上与上述第六半导体区域并排，上述第二区域的下端位于比上述第三区域的下端更上方的位置。10.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备：第一导电部，在上述第一方向上，隔着第一绝缘层而与上述第七半导体区域对置，上述第一导电部与上述第二电极电连接。11.一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域，设于上述第一电极的上方，上述第一半导体区域具有第一部分、第二部分、以及在第一方向上位于上述第一部分与上述第二部分之间的第三部分；第二导电型的第二半导体区域，设于上述第一电极与上述第一部分之间；第二导电型的第三半导体区域，设于上述第一部分的上方，从上述第二半导体区域朝向上述第三半导体区域的第二方向垂直于上述第一方向；第一导电型的第四半导体区域，设于上述第三半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：下条亮平，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP