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本发明的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第二导电型的第三半导体区域；第一导电型的第四半导体区域；栅极电极；第一导电型的第五半导体区域；第二导电型的第六半导体区域；第二导电型的第七半导体区域；...该专利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。