对处理容器内的部件进行清洁的方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及对处理容器内的部件进行清洁的方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。本发明专利技术的课题为提高处理容器内的清洁处理的均匀性。通过将包括下述工序的循环进行规定次数，从而对处理容器内的部件进行清洁：工序(a)，从至少三个供给部中的任意两个供给部，分别向对衬底进行处理后的处理容器内分开地供给清洁气体、和与清洁气体反应的添加气体；和工序(b)，以使供给清洁气体的供给部及供给添加气体的供给部中的至少任一者与(a)中的那个供给部、或那些供给部不同的方式，分别从至少三个供给部中的任意两个供给部，向处理容器内分开地供给清洁气体和添加气体。

Methods for cleaning components in processing containers, manufacturing methods of semiconductor devices, substrate treatment devices, and recording media

【技术实现步骤摘要】
对处理容器内的部件进行清洁的方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质
本专利技术涉及对处理容器内的部件进行清洁的方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行对处理容器内的衬底进行处理的工序。若通过进行该工序而在处理容器内附着有规定量的沉积物，则有时可在规定时机进行处理容器内的清洁处理(例如参见专利文献1)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本特开2015-153956号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的课题]本专利技术的目的在于提供能够提高处理容器内的清洁处理的均匀性的技术。[用于解决课题的手段]根据本专利技术的一个方式，提供通过将包括下述工序的循环进行规定次数、从而对上述处理容器内的部件进行清洁的技术，所述工序为：工序(a)，从至少三个供给部中的任意两个供给部，分别向对衬底进行处理后的处理容器内分开地供给清洁气体和与上述清洁气体反应的添加气体；和工序(b)，以使供给上述清洁气体的供给部及供给上述添加气体的供给部中的至少任一者与(a)中的那个供给部、或那些供给部不同的方式，从上述至少三个供给部中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.对处理容器内的部件进行清洁的方法，其通过将包括下述工序的循环进行规定次数，从而对所述处理容器内的部件进行清洁，所述工序为：工序(a)，从至少三个供给部中的任意两个供给部，分别向对衬底进行处理后的处理容器内分开地供给清洁气体和与所述清洁气体反应的添加气体；和工序(b)，以使供给所述清洁气体的供给部及供给所述添加气体的供给部中的至少任一者与(a)中的那个供给部、或那些供给部不同的方式，从所述至少三个供给部中的任意两个供给部分别向所述处理容器内分开地供给所述清洁气体和所述添加气体。

【技术特征摘要】
2018.02.22 JP 2018-0296431.对处理容器内的部件进行清洁的方法，其通过将包括下述工序的循环进行规定次数，从而对所述处理容器内的部件进行清洁，所述工序为：工序(a)，从至少三个供给部中的任意两个供给部，分别向对衬底进行处理后的处理容器内分开地供给清洁气体和与所述清洁气体反应的添加气体；和工序(b)，以使供给所述清洁气体的供给部及供给所述添加气体的供给部中的至少任一者与(a)中的那个供给部、或那些供给部不同的方式，从所述至少三个供给部中的任意两个供给部分别向所述处理容器内分开地供给所述清洁气体和所述添加气体。2.如权利要求1所述的方法，其中，使(b)中供给所述清洁气体的供给部与(a)中的供给所述清洁气体的供给部不同。3.如权利要求1所述的方法，其中，使(b)中供给所述添加气体的供给部与(a)中的供给所述添加气体的供给部不同。4.如权利要求1所述的方法，其中，使(b)中供给所述清洁气体的供给部及供给所述添加气体的供给部这两者与(a)中的供给所述清洁气体的供给部及供给所述添加气体的供给部不同。5.如权利要求1所述的方法，其中，在(b)中，从在(a)中供给所述添加气体的供给部供给所述清洁气体，从在(a)中供给所述清洁气体的供给部供给所述添加气体。6.如权利要求1所述的方法，其中，在(b)中，从在(a)中不实施所述清洁气体和所述添加气体的供给的供给部供给所述清洁气体，从在(a)中供给所述添加气体的供给部或供给所述清洁气体的供给部供给所述添加气体。7.如权利要求1所述的方法，其中，在(a)与(b)之间进行所述处理容器内的吹扫，并将所述循环进行规定次数。8.如权利要求1所述的方法，其中，以不在(a)与(b)之间进行所述处理容器内的吹扫的方式将所述循环进行规定次数。9.如权利要求1所述的方法，其中，在(a)及(b)中的至少任一者中，使向所述处理容器内供给的所述清洁气体和所述添加气体、从所述至少三个供给部中不实施所述清洁气体和所述添加气体的供给的供给部的气体喷出口侵入该供给部内。10.如权利要求9所述的方法，其中，不实施所述清洁气体和所述添加气体的供给的供给部是处理所述衬底时向所述处理容器内供给其单独能够沉积膜的气体的供给部。11.如权利要求1所述的方法，其中，在(a)及(b)中的至少任一者中，从所述至少三个供给部的各自以同一流量供给非活性气体。12.如权利要求1所述的方法，其中，(a)及(b)中的至少任一者包括下述工序：工序(c)，在停止所述处理容器内的排气的状态下，向所述处理容器内供给所述清洁气体和所述添加气体；工序(d)，在停止所述处理容器内的排气的状态下，停止所述清洁气体和所述添加气体向所述处理容器内的供给，维持将所述清洁气体和所述添加气体封闭在所述处理容器内的状态；和工序(e)，对所述处理容器内进行排气。13.如权利要求12所述的方法，其中，在(c)中，使向所述处理容器内供给的所述清洁气体和所述添加气体、从所述至少三个供给部中不实施所述清洁气体和所述添加气体的供给的供给部的气体喷出口侵入该供给部内，在(d)中，使封闭在所述处理容器内的所述清洁气体和所述添加气体、至少从(c)中不实施所述清洁气体和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗林幸永，龟田贤治，镰仓司，花岛建夫，平松宏朗，江端慎也，山岸裕人，久门佐多雄，佐佐木隆史，山口天和，西堂周平，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP