一种抗静电晶圆减薄、切割用保护膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗静电晶圆减薄、切割用保护膜，依次包括聚烯烃(PO)抗静基材膜和胶层，PO抗静电基材膜由抗静电表层、芯层和电晕层构成，通过多层共挤流延法制备得到。随后在PO基材膜上涂布UV减粘压敏胶即可得到成品保护膜。本实用新型专利技术，选用合适的共挤抗静电母粒，无需涂布，通过多层共挤方式制备一种表面抗静电的膜材，从避免因为剥离电压过高，在半导体晶圆生产过程中，造成的击穿晶圆的情况，提高晶圆了加工良率。选用PO作为基材膜，膜材拉伸性能和柔韧性能更佳，可以满足更高要求的工艺条件；流延工艺制备PO基材膜的厚薄均匀度要高于吹膜工艺制备的基材膜，可以提高晶圆加工的精确度和良品率。

A protective film for antistatic wafer thinning and cutting

【技术实现步骤摘要】
一种抗静电晶圆减薄、切割用保护膜
本技术涉及半导体
，特别是涉及一种抗静电晶圆减薄、切割用保护膜。
技术介绍
目前，在对半导体晶圆进行减薄或切割过程中通常的加工方法，主要是使用UV减粘保护膜固定晶圆进行减薄货切割制程，该保护膜初始剥离力高，贴附晶圆进行加工完毕后，经过UV照射，剥离力急剧降低，便于晶圆成品从保护膜上取下。但是在生产过程中，由于高速摩擦和高分子材料特性，导致电荷容易富集到非导电的保护膜上，在撕开保护膜的瞬间会造成较高的剥离电压，从而有击穿半导体晶圆的风险。其现在所面临的缺陷，值得解决。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种抗静电晶圆减薄、切割用保护膜。为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：本技术的一种抗静电晶圆减薄、切割用保护膜，由抗静电基材膜和胶层构成；上述基材膜为PO基材膜，通过流延机共挤流延制备得到，厚度为25～200μm。上述基材膜由抗静电表层、芯层和电晕层构成，表层厚度5～50μm，芯层厚度20～150μm，电晕层厚度5～50μm；上述抗静电表层，无需通过额外涂布抗静电涂层，通过多层共挤工艺得以实现，表面阻抗108～1010Ω本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆减薄、切割用保护膜，依次包括抗静电表层（1）、芯层（2）、电晕层（3）和胶层（4）构成，其特征在于，抗静电表层、芯层和电晕层，三层构成基材膜，且该基材膜是由聚烯烃(PO)粒子通过多层共挤流延法制备得到。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆减薄、切割用保护膜，依次包括抗静电表层（1）、芯层（2）、电晕层（3）和胶层（4）构成，其特征在于，抗静电表层、芯层和电晕层，三层构成基材膜，且该基材膜是由聚烯烃(PO)粒子通过多层共挤流延法制备得到。2.根据权利要求1所述的晶圆减薄、切割用保护膜，其特征在于，抗静电表层有抗静电效果，表面阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洋，
申请(专利权)人：苏州见崎技研材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32