晶振片镀膜工艺制造技术

本发明专利技术公开了晶振片镀膜工艺，其特征在于，在真空箱内对晶振片进行镀膜，真空箱内部上部设置晶振片，下部设置铬蒸发源、金蒸发源，镀膜过程如下：步骤1）开启铬蒸发源，对晶振片镀铬，在晶振片上形成铬层，步骤2）持续开启铬蒸发源，开启金蒸发源，在铬层上形成铬金共金属层。步骤3）关闭铬蒸发源，保持金蒸发源开启，在铬金共金属层上形成金层，步骤4）关闭金蒸发源，完成镀膜。在铬层镀膜完成后，保持铬蒸发源和金蒸发源同时开启，在铬层上形成铬金共金属层，然后镀上金层，因铬金共金属层的存在，提高铬和金的结合力，整体性能、使用寿命延长，监测性能更稳定。

Technology of Crystal Vibrator Plate Coating

【技术实现步骤摘要】
晶振片镀膜工艺
本专利技术涉及晶振片生产工艺，具体涉及晶振片镀膜工艺。
技术介绍
为提高晶振片的电性性能，研发了本工艺。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题，提供了一种晶振片镀膜工艺，在铬层镀膜完成后，保持铬蒸发源和金蒸发源同时开启，在铬层上形成铬金共金属层，然后镀上金层，因铬金共金属层的存在，提高铬和金的结合力，整体性能、使用寿命延长，监测性能更稳定。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：晶振片镀膜工艺，在真空箱内对晶振片进行镀膜，真空箱内部上部设置晶振片，下部设置铬蒸发源、金蒸发源，镀膜过程如下：步骤1）开启铬蒸发源，对晶振片镀铬，在晶振片上形成铬层，步骤2）持续开启铬蒸发源，开启金蒸发源，在铬层上形成铬金共金属层。步骤3）关闭铬蒸发源，保持金蒸发源开启，在铬金共金属层上形成金层，步骤4）关闭金蒸发源，完成镀膜。作为上述方案的优选，步骤1）至步骤3）中，晶振片处于转动状态。作为上述方案的优选，铬层厚度是30埃。作为上述方案的优选，共金属层厚度是180埃。作为上述方案的优选，金层厚度是4000埃。本专利技术的有益效果是：在铬层镀膜完成后，保持铬蒸发源和金蒸发源同时开启，在铬层上形成铬金共金属层，然后镀上金层，因铬金共金属层的存在，提高铬和金的结合力，整体性能、使用寿命延长，监测性能更稳定。具体实施方式下面结合实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。晶振片镀膜工艺，在真空箱内对晶振片进行镀膜，真空箱内部上部设置晶振片，下部设置铬蒸发源、金蒸发源，镀膜过程如下：步骤1）开启铬蒸发源，对晶振片镀铬，在晶振片上形成铬层，步骤2）持续开启铬蒸发源，开启金蒸发源，在铬层上形成铬金共金属层。步骤3）关闭铬蒸发源，保持金蒸发源开启，在铬金共金属层上形成金层，步骤4）关闭金蒸发源，完成镀膜。作为上述方案的优选，步骤1）至步骤3）中，晶振片处于转动状态。作为上述方案的优选，铬层厚度是30埃。作为上述方案的优选，共金属层厚度是180埃。作为上述方案的优选，金层厚度是4000埃。采用本镀膜工艺生产的晶振片，其电性性能如下：FR--AC6AD14-F:5980-5995KHZ；FDLD---MAX5ppm；Co---MAX20PF；RR---MAX15Omhs；DLD2---MAX3Omhs；Q---MIN150K；PWR---MAX100μW；对于本领域的技术人员来说，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.晶振片镀膜工艺，其特征在于，在真空箱内对晶振片进行镀膜，真空箱内部上部设置晶振片，下部设置铬蒸发源、金蒸发源，镀膜过程如下：步骤1)开启铬蒸发源，对晶振片镀铬，在晶振片上形成铬层，步骤2)持续开启铬蒸发源，开启金蒸发源，在铬层上形成铬金共金属层。步骤3)关闭铬蒸发源，保持金蒸发源开启，在铬金共金属层上形成金层，步骤4)关闭金蒸发源，完成镀膜。

【技术特征摘要】
1.晶振片镀膜工艺，其特征在于，在真空箱内对晶振片进行镀膜，真空箱内部上部设置晶振片，下部设置铬蒸发源、金蒸发源，镀膜过程如下：步骤1)开启铬蒸发源，对晶振片镀铬，在晶振片上形成铬层，步骤2)持续开启铬蒸发源，开启金蒸发源，在铬层上形成铬金共金属层。步骤3)关闭铬蒸发源，保持金蒸发源开启，在铬金共金属层上形成金层，步骤4)关...

【专利技术属性】
技术研发人员：周朱华，王祖勇，
申请(专利权)人：嘉兴晶控电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33