【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微电子设备中堆叠管芯的互连结构
本文描述的实施例一般涉及用于在微电子设备中提供互连的方法和装置；并且更具体来说，涉及用于在微电子设备中的一个或多个堆叠管芯与重分布结构之间提供互连的方法和装置。
技术介绍
例如IC（集成电路）封装之类的许多形式的微电子设备包括耦合到重分布结构的一个或多个半导体管芯（在本文也称为“管芯”），该重分布结构适于促进与其他设备（例如印刷电路板（例如母板）或另一个模块化组件）的互连。对于许多类型的设备，管芯的垂直堆叠有助于降低封装的横向（X-Y尺寸）大小而以封装的高度（Z尺寸）增加为代价。这样的重分布结构可能包括一个或多个层，每个层包括与一个或多个半导体管芯上的相应触点直接或间接连接的导电迹线和通孔，以使管芯触点重分布到其他位置。在“扇出”型封装的情况下，重分布结构可以包括电迹线，这些电迹线布置成使管芯上的触点的至少一部分或全部重分布到半导体管芯自身的横向尺寸（管芯的“面积（footprint）”）之外的接触位置。已知此前有不同的结构用于在封装中的堆叠管芯与重分布结构之间提供电通信。一个常见结构是在堆叠管芯下面且具有在堆叠管芯与重分布结构之间...
【技术保护点】
1.一种微电子设备包括：第一半导体管芯；耦合到所述半导体管芯的第一侧面的重分布结构，重分布层包括其中形成的多个导电迹线和通孔；以及第二半导体管芯，所述第二半导体管芯在所述管芯的与所述重分布结构相对的侧面上至少部分在所述第一半导体管芯之上延伸，所述第二半导体管芯具有面向所述重分布结构的有效表面，并且包括耦合到所述有效表面且延伸到所述重分布结构的相应导电结构中的一个或多个线。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子设备包括：第一半导体管芯；耦合到所述半导体管芯的第一侧面的重分布结构，重分布层包括其中形成的多个导电迹线和通孔；以及第二半导体管芯，所述第二半导体管芯在所述管芯的与所述重分布结构相对的侧面上至少部分在所述第一半导体管芯之上延伸，所述第二半导体管芯具有面向所述重分布结构的有效表面，并且包括耦合到所述有效表面且延伸到所述重分布结构的相应导电结构中的一个或多个线。2.如权利要求1所述的微电子设备，其中所述重分布结构包括：第一重分布层，所述第一重分布层包括导电迹线和通孔，所述第一重分布层耦合到所述第一半导体管芯的所述第一侧面；以及第二重分布层，所述第二重分布层包括导电迹线和通孔，其中所述第一和第二重分布层中的至少一些迹线通过相应的导电通孔彼此耦合。3.如权利要求2所述的微电子设备，其中所述一个或多个线中的第一线延伸到所述第一重分布层中的导电结构中。4.如权利要求2所述的微电子设备，其中所述一个或多个线中的第一线延伸到所述第二重分布层中的导电结构中。5.如权利要求1所述的微电子设备，其中所述重分布结构进一步包括配置成接合支承结构的多个触点。6.如权利要求1所述的微电子设备，其中所述第二半导体管芯在所述有效表面上包括多个接触表面并且其中所述一个或多个线中的每个耦合到相应的接触表面。7.如权利要求2所述的微电子设备：其中所述一个或多个线中的第一线延伸到所述第一重分布层中的导电结构中；以及其中所述一个或多个线中的第二线延伸到所述第二重分布层中的导电结构中。8.如权利要求1所述的微电子设备，进一步包括：在所述第一半导体管芯的与所述重分布结构相对的侧面上延伸的第三半导体管芯，所述第三半导体管芯具有面向所述重分布结构的有效表面并且包括一个或多个线，所述一个或多个线耦合到所述有效表面并且延伸到所述重分布结构中的相应导电通孔中。9.如权利要求1-7中的任一项所述的微电子设备，进一步包括：覆盖所述多个半导体管芯的模塑部件，并且其中所述重分布结构的一部分由所述模塑部件支承。10.如权利要求1-7中的任一项所述的微电子设备，其中所述线各自被线接合到所述第二半导体管芯的所述有效表面上的相应接触表面。11.如权利要求1-7中的任一项所述的微电子设备，其中所述重分布结构的所述多个触点包括接触球。12.如权利要求5所述的微电子设备，包括延伸到所述多个触点的相应触点的至少一个线，所述多个触点配置成接合支承表面。13.如权利要求1-7中任一项所述的微电子设备，包括延伸到所述重分布结构中的导电通孔中的至少一个线。14.如权利要求1-7中任一项所述的微电子设备，包括延伸到所述重分布结构中的导电迹线中的至少一个线。15.如权利要求1-7中任一项所述的微电子设备，其中所述第一半导体管芯是直接耦合...
【专利技术属性】
技术研发人员：T瓦纳，A沃尔特，G塞德曼，
申请(专利权)人：英特尔IP公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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