【技术实现步骤摘要】
一种容量为16M×16bit的非气密三维封装NORFLASH存储器
本技术涉及存储设备，具体涉及一种容量为16M×16bit的非气密三维封装NORFLASH存储器。
技术介绍
编码型快闪存储器(NORFLASH)是计算机中的重要部件之一，是CPU能直接寻址的存储空间，用于存储代码和数据，对计算机以及其它电子设备的性能有重大影响。对于计算机尺寸要求严格的应用环境，如导弹、船舶、卫星等应用环境，内存部位所占PCB板的面积要求缩小，迫切需要一款能够按照用户实际需求容量及位宽的进行小型化，并且保存NORFLASH原有特点的存储器模块。近年来，随着技术的高速发展及国家战略安全的需要，对弹载系统的国产化、小型化和综合打击性能提出了更高的需求。系统迫切需要体积小、综合抗辐照能力强的编码型快闪存储器。很多电子产品都需要使用NORFLASH器件，而且电子产品处理数据量越来越大，要求存储空间越来越大。各种NORFLASH的容量有限，要实现大容量势必要在PCB板上放置多片NORFLASH器件，这些器件会占用相当大的面积，引起PCB板面积的增大。越来越多的电子产品对小型化的要求程度越来越...
【技术保护点】
1.一种容量为16M×16bit的非气密三维封装NOR FLASH存储器，其特征在于，包括引线框架(3)和四片4M×16bit的NOR FLASH芯片(1)，四片NOR FLASH芯片(1)依次堆叠设置于引线框架(3)上，最下端一层NOR FLASH芯片下表层设有垫片(8)，上端三层NOR FLASH芯片上表层设有接NOR FLASH芯片引脚的铜箔电引层(2)，相邻两个NOR FLASH芯片之间通过固态胶膜(4)粘接，四片NOR FLASH芯片(1)四周外侧设有灌封胶层(5)，灌封胶层(5)外侧设有外部金属镀化层引线(6)，上端三层NOR FLASH芯片(1)上的铜箔电引层...
【技术特征摘要】
1.一种容量为16M×16bit的非气密三维封装NORFLASH存储器，其特征在于，包括引线框架(3)和四片4M×16bit的NORFLASH芯片(1)，四片NORFLASH芯片(1)依次堆叠设置于引线框架(3)上，最下端一层NORFLASH芯片下表层设有垫片(8)，上端三层NORFLASH芯片上表层设有接NORFLASH芯片引脚的铜箔电引层(2)，相邻两个NORFLASH芯片之间通过固态胶膜(4)粘接，四片NORFLASH芯片(1)四周外侧设有灌封胶层(5)，灌封胶层(5)外侧设有外部金属镀化层引线(6)，上端三层NORFLASH芯片(1)上的铜箔电引层(2)与外部金属镀化层引线(6)连通，最下端的NORFLASH芯片的引脚直接与外部金属镀化层引线(6)连通，引线框架(3)上设有垫片(8)、外引线(7)，外引线(7)连通至外部金属镀化层引线(6)。2.根据权利要求1所述的一种容量为16M×16bit的非气密三维封装NORFLASH存储器，其特征在于，外部金属镀化层引线(6)外侧设有包覆层。3.根据权利要求1所述的一种容量为16M×16bit的非气密三维封装NORFLASH存储器，其特征在于，外引线(7)通过引线框架(3)上的插槽固定在引线框架(3)上。4.根据权利要求1所述的一种容量为16M×16bit的非气密三维封装NORFLASH存储器，其特征在于，由下至上依次堆叠的四层NORFLASH芯片，分别为第1层NORFLASH芯片、第2层NORFLASH芯片、第3层NORFLASH芯片和第4层NORFLASH芯片；上端三层NORFLASH芯片的数据线通过外部金属镀化层引线和铜箔电引层(2)连通至引出线...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宗源，余欢，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：新型
国别省市：陕西,61
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