【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有叠层上专用集成电路管芯的垂直键合线堆叠芯片级封装及其制造方法
本公开内容涉及具有垂直(vertical)键合线的存储器管芯叠层(stack)。存储器管芯叠层是芯片级封装存储器模块的一部分。存储器模块被配置为系统级封装(SiP)设备，其包括存储器模块中的处理、存储器和专用集成电路器件。
技术介绍
诸如移动电话、智能电话和平板电脑之类的计算设备在可用空间方面受到限制，因为存在由预期用途决定的尺寸限制。尺寸减小是封装面临的挑战。附图说明在附图的各图中通过示例而非限制的方式示出了各种所公开的实施例，其中：图1是根据实施例的具有正交引线键合的存储器管芯叠层的一部分的透视正视图细节；图1A是根据处理实施例的包括具有正交键合线的存储器管芯叠层的存储器模块的横截面正视图；图1B是根据实施例的在进一步处理之后的图1A中所示的存储器模块的横截面正视图；图1C是根据实施例的作为包括处理器管芯的使用正交引线键合技术的系统级封装装置的一部分的存储器模块的横截面正视图。图1D是根据实施例的作为系统级封装装置的一部分的板安装存储器模块的横截面正视图；图2C是根据实施例的作为安装有再分布层的...
【技术保护点】
1.一种系统级封装装置中的存储器模块，包括：基质，包括连接表面；存储器管芯叠层，以阶梯关系配置并且安置在所述基质中，所述存储器管芯叠层包括第一存储器管芯和后续存储器管芯，所述第一存储器管芯包括有源表面和后侧表面，并且所述后续存储器管芯包括有源表面和后侧表面，其中，所述第一存储器管芯包括从所述第一存储器管芯的有源表面延伸并且突破所述基质的连接表面的正交第一键合线，并且所述后续存储器管芯包括从所述后续存储器管芯的有源表面延伸并且突破所述基质的连接表面的正交后续键合线；处理器第一管芯，设置在所述第一存储器管芯上并且至少部分地安置在所述基质中，所述处理器第一管芯包括有源表面和后侧表...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统级封装装置中的存储器模块，包括：基质，包括连接表面；存储器管芯叠层，以阶梯关系配置并且安置在所述基质中，所述存储器管芯叠层包括第一存储器管芯和后续存储器管芯，所述第一存储器管芯包括有源表面和后侧表面，并且所述后续存储器管芯包括有源表面和后侧表面，其中，所述第一存储器管芯包括从所述第一存储器管芯的有源表面延伸并且突破所述基质的连接表面的正交第一键合线，并且所述后续存储器管芯包括从所述后续存储器管芯的有源表面延伸并且突破所述基质的连接表面的正交后续键合线；处理器第一管芯，设置在所述第一存储器管芯上并且至少部分地安置在所述基质中，所述处理器第一管芯包括有源表面和后侧表面，其中，处理器凸块阵列设置在所述第一存储器管芯的有源表面上，并且其中，所述处理器凸块阵列至少部分地远离所述基质的连接表面延伸；间隔件，设置在所述第一存储器管芯上，并且其中，所述间隔件设置在所述处理器第一管芯和所述第一存储器管芯的正交第一键合线之间。2.根据权利要求1所述的系统级封装装置中的存储器模块，其中，所述正交第一键合线远离所述第一存储器管芯的有源表面延伸，并且其中，所述正交后续键合线远离所述后续存储器管芯的有源表面延伸。3.根据权利要求1所述的系统级封装装置中的存储器模块，还包括：第二存储器管芯，设置在所述第一存储器管芯的有源表面上并且在所述第一存储器管芯和所述后续存储器管芯之间；以及正交第二键合线，设置在所述第二存储器管芯上，其中，所述正交第二键合线远离所述第二存储器管芯延伸。4.根据权利要求1所述的系统级封装装置中的存储器模块，还包括：第二存储器管芯，设置在所述第一存储器管芯的有源表面上并且在所述第一存储器管芯和所述后续存储器管芯之间；以及第三存储器管芯，设置在所述第二存储器管芯的有源表面上并且在所述第二存储器管芯和所述后续存储器管芯之间。5.根据权利要求1所述的系统级封装装置中的存储器模块，还包括：第二存储器管芯，设置在所述第一存储器管芯的有源表面上并且在所述第一存储器管芯和所述后续存储器管芯之间；以及第三存储器管芯，设置在所述第二存储器管芯的有源表面上并且在所述第二存储器管芯和所述后续存储器管芯之间，并且其中，所述第三存储器管芯设置在所述后续存储器管芯上。6.根据权利要求1所述的系统级封装装置中的存储器模块，还包括：再分布层，其接触所述处理器凸块阵列和所述第一存储器管芯的正交键合线以及所述后续存储器管芯的正交键合线；以及球栅阵列，设置在所述再分布层上。7.根据权利要求6所述的系统级封装装置中的存储器模块，还包括：第二存储器管芯，设置在所述第一存储器管芯的有源表面上并且在所述第一存储器管芯和所述后续存储器管芯之间。8.根据权利要求6所述的系统级封装装置中的存储器模块，还包括：第二存储器管芯，设置在所述第一存储器管芯的有源表面上并且在所述第一存储器管芯和所述后续存储器管芯之间；以及第三存储器管芯，设置在所述第二存储器管芯的有源表面上并且在所述第二存储器管芯和所述后续存储器管芯之间。9.根据权利要求1所述的系统级封装装置中的存储器模块，其中，所述处理器第一管芯包括存储器控制器集线器功能。10.根据权利要求1所述的系统级封装装置中的存储器模块，其中，所述间隔件是第二管芯。11.一种系统级封装装置中的存储器模块，包括：基质，包括连接表面；存储器管芯叠层，以阶梯关系配置并且安置在所述基质中，所述存储器管芯叠层包括第一存储器管芯和后续存储器管芯，所述第一存储器管芯包括有源表面和后侧表面，并且所述后续存储器管芯包括有源表面和后侧表面，其中，所述第一存储器管芯包括以非正交角度从所述第一存储器管芯的有源表面延伸并且突破所述基质的连接表面的垂直第一键合线，并且所述后续存储器管芯包括从所述后续存储器管芯的有源表面延伸并且突破所述基质的连接表面的垂直后续键合线；处理器第一管芯，设置在所述第一存储器管芯上并且至少部分地安置在所述基质中，所述处理器第一管芯包括有源表面和后侧表面，其中，处理器凸块阵列设置在所述第一存储器管芯的有源表面上，并且其中，所述处理器凸块阵列至少部分地远离所述基质的连接表面延伸；间隔件，设置在所述第一存储器管芯上，并且其中，所述间隔件设置在所述处理器第一管芯和所述第一存储器管芯的垂直第一键合线之间。12.根据权利要求11所述的系统级封装装置中的存储器模块，其中，所述垂直第一键合线远离所述第一存储器管芯的有源表面延伸，并且其中，所述垂直后续键合线以非正交角度远离所述后续存储器管芯的有源表面延伸。13.根据权利要求11所述的系统级封装装置中的存储器模块，其中，所述垂直第一键合线远离所述第一存储器管芯的有源表面延伸，其中，所述垂直后续键合线以非正交角度远离所述后续存储器管芯的有源表面延伸；并且其中，所述垂直第一键合线和所述垂直后续键合线从各自相应的第一键合焊盘和后续键合焊盘共平行地延伸，直到各自突破所述连接表面。14.根据权利要求11所述的系统级封装装置中的存储器模块，还包括：第二存储器管芯，设置在所述第一存储器管芯的有源表面上并且在所述第一存储器管芯和所述后续存储器管芯之间；以及垂直第二键合线，设置在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁志成，佘勇，刘斌，谈爱萍，邓理，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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