一种背接触电池用干法开槽方法技术

本发明专利技术的目的在于公开一种背接触电池用干法开槽方法，它包括如下步骤：1)处理过的硅片进行磷扩散；2)在不需要刻蚀的N+区印刷一层聚合物保护涂层；3)采用深反应离子刻蚀不断钝化刻蚀非保护区，优化参数，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌；4)对硅片进行硼扩散，获得P+区；5)进行刻蚀，去除余下的聚合物保护涂层、磷硅玻璃和硼硅玻璃；6)镀反射钝化层，印刷电极；与现有技术相比，采用MEMS制造的深反应离子刻蚀机进行刻蚀开槽，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌，大大减小对晶硅衬底的破坏，提高电池填充因子，获得高效高性能晶硅电池，实现本发明专利技术的目的。

A Dry Slotting Method for Back Contact Batteries

【技术实现步骤摘要】
一种背接触电池用干法开槽方法
本专利技术涉及一种太阳能电池的开槽方法，特别涉及一种适用于太阳能电池开槽的背接触电池用干法开槽方法。
技术介绍
能源和环境是二十一世纪面临的两个重大问题，据专家估算，以现在的能源消耗速度，可开采的石油资源将在几十年后耗尽，煤炭资源也只能供应人类使用约200年。太阳能电池作为可再生无污染能源，能很好地同时解决能源和环境两大难题，具有很广阔的发展前景。从转换效率和材料的来源角度讲，光伏行业今后发展的重点仍是晶硅太阳能电池。降本增效始终是光伏行业永恒的主题，随着行业不断的技术进步和政策推动，大众的目光逐渐转移至度电成本上，高效电池因此备受瞩目。背接触电池技术产业化初有突破，性价比优势逐渐显现。由于三氧化二铝与氮化硅薄膜均无法导电，因此常规工艺采用激光技术使相应区域的硅衬底露出。但是，背面激光开槽容易导致晶体结构受到破坏，背钝化晶硅电池由于正反金属结构不同容易造成翘曲，在翘曲和激光损伤的双重作用下，容易导致碎片，造成产线碎片率高。且激光对电池片损伤过大会造成开路电压降低，影响电池最终性能。微电子机械系统(MEMS)在近年来发展非常迅速，在高深宽比硅刻蚀技术引入微电子工艺后，硅工艺成为MEMS的主流加工技术。其中深反应离子刻蚀(DRIE)实现对侧壁的保护，获得可控的侧向刻蚀，制作出陡峭或其他倾斜角度的侧壁而备受关注。因此，特别需要一种背接触电池用干法开槽方法，以解决上述现有存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种背接触电池用干法开槽方法，针对现有技术的不足，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌，大大减小对晶硅衬底的破坏，提高电池填充因子，获得高效高性能晶硅电池。本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：一种背接触电池用干法开槽方法，其特征在于，它包括如下步骤：1)处理过的硅片进行磷扩散；2)在不需要刻蚀的N+区印刷一层聚合物保护涂层；3)采用深反应离子刻蚀不断钝化刻蚀非保护区，优化参数，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌；4)对硅片进行硼扩散，获得P+区；5)进行刻蚀，去除余下的聚合物保护涂层、磷硅玻璃和硼硅玻璃；6)镀反射钝化层，印刷电极。在本专利技术的一个实施例中，所述硅片为P型单晶硅、P型多晶硅、N型单晶硅、N型多晶硅中的任意一种。在本专利技术的一个实施例中，所述步骤2)中的聚合物保护涂层为油墨、保护涂料或光刻胶中的任意一种。在本专利技术的一个实施例中，所述步骤3)中，采用MEMS制造的深反应离子刻蚀机进行刻蚀开槽，开槽深度为1-3μm，侧壁角度为70-90度。在本专利技术的一个实施例中，所述步骤5)中的反射钝化层为二氧化硅、氮化硅、非晶硅、多晶硅、碳化硅、三氧化二铝中的一种或多种的组合。本专利技术的背接触电池用干法开槽方法，与现有技术相比，采用MEMS制造的深反应离子刻蚀机进行刻蚀开槽，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌，大大减小对晶硅衬底的破坏，提高电池填充因子，获得高效高性能晶硅电池，实现本专利技术的目的。本专利技术的特点可参阅本案以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体，进一步阐述本专利技术。实施例本专利技术的背接触电池用干法开槽方法，它包括如下步骤：1)处理过的硅片进行磷扩散；2)在不需要刻蚀的N+区印刷一层聚合物保护涂层；3)采用深反应离子刻蚀不断钝化刻蚀非保护区，优化参数，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌；4)对硅片进行硼扩散，获得P+区；5)进行刻蚀，去除余下的聚合物保护涂层、磷硅玻璃和硼硅玻璃；6)镀反射钝化层，印刷电极。在本实施例中，所述硅片为P型单晶硅、P型多晶硅、N型单晶硅、N型多晶硅中的任意一种。在本实施例中，所述步骤2)中的聚合物保护涂层为油墨、保护涂料或光刻胶中的任意一种。在本实施例中，所述步骤3)中，采用MEMS制造的深反应离子刻蚀机进行刻蚀开槽，开槽深度为1-3μm，侧壁角度为70-90度。在本实施例中，所述步骤5)中的反射钝化层为二氧化硅、氮化硅、非晶硅、多晶硅、碳化硅、三氧化二铝中的一种或多种的组合。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内，本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背接触电池用干法开槽方法，其特征在于，它包括如下步骤：1)处理过的硅片进行磷扩散；2)在不需要刻蚀的N+区印刷一层聚合物保护涂层；3)采用深反应离子刻蚀不断钝化刻蚀非保护区，优化参数，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌；4)对硅片进行硼扩散，获得P+区；5)进行刻蚀，去除余下的聚合物保护涂层、磷硅玻璃和硼硅玻璃；6)镀反射钝化层，印刷电极。

【技术特征摘要】
1.一种背接触电池用干法开槽方法，其特征在于，它包括如下步骤：1)处理过的硅片进行磷扩散；2)在不需要刻蚀的N+区印刷一层聚合物保护涂层；3)采用深反应离子刻蚀不断钝化刻蚀非保护区，优化参数，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌；4)对硅片进行硼扩散，获得P+区；5)进行刻蚀，去除余下的聚合物保护涂层、磷硅玻璃和硼硅玻璃；6)镀反射钝化层，印刷电极。2.如权利要求1所述的背接触电池用干法开槽方法，其特征在于，所述硅片为P型单晶硅、P型多晶硅、N型单晶硅、N型多晶硅中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：席珍珍，
申请(专利权)人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司，国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61