一种单晶制绒工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种单晶制绒工艺，主要涉及单晶制绒领域，包括步骤一：碱溶液清洗抛光；步骤二：超声波清洗；步骤三：臭氧水清洗；步骤四：水洗；步骤五：制绒；步骤六：水洗；步骤七：臭氧水清洗；步骤八：水洗；步骤九：酸溶液清洗；步骤十：水洗；步骤十一：慢拉提过滤；步骤十二：烘干；本发明专利技术通过在硅片前后清洗中增加臭氧水清洗和超声清洗工艺加强对硅片的清洗可以有效解决硅片上的白点和外观工艺异常，通过臭氧水清洗代替H2O2/KOH清洗，可以大幅降低生产成本，另根据生产的硅片源质量进行臭氧水清洗、超声波清洗、KOH/H2O2混合溶液多种清洗工艺方式的一键切换，最大限度实现工艺切换灵活性、保证产品质量、提高生产工艺的稳定性。

A Single Crystal Cashmere Making Process

【技术实现步骤摘要】
一种单晶制绒工艺
本专利技术主要涉及单晶制绒领域，尤其涉及一种单晶制绒工艺。
技术介绍
光伏发电技术近年发展十分迅速，经过2018年530新政的降温，光伏公司进行了一轮洗牌行业也进一步得到规范，目前光伏行业更是呈现井喷式增长，一线光伏公司均已几GW的规模进行扩产，相应的对于光伏设备的需求也大幅增加，目前光伏设备多道工序已实现国产化，但是设备稳定性等各方面性能和国外进口设备厂家的差异还是较大。单晶太阳电池是未来晶硅电池发展的趋势，单晶制绒作为第一道工序，制绒效果直接影响产能和最终的电池性能，单晶机台一般为多槽式的清洗设备，其上料端一般采用龙骨、传送带通过皮带传送，通过机械手将花篮在槽体间进行传送，常规单晶机台工艺稳定性较差，尤其在硅原片较脏的情况下，极易出现白点等制绒外观缺陷，直接影响最终产品的效率和外观良率，同时单晶工艺中的前后清洗采用的是KOH/H2O2混合溶液，初配液和过程补液（由于硅片反应会消耗槽内化学品浓度，每反应一批需要补加一定量化学品）H2O2的成本占制绒的成本比例太高。针对此问题，本专利技术提出一种单晶制绒工艺，通过在前后清洗中增加臭氧水清洗工艺和超声清洗工艺加强对硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶制绒工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：碱溶液清洗抛光，通过机械手提拉将盛放硅片的花篮放入碱溶液槽进行碱抛光去除硅片损伤层；步骤二：超声波清洗，通过超声波清洗槽将所述步骤一残留的碱液进行清洗；步骤三：臭氧水清洗，通过臭氧水清洗槽将硅片表面略大的颗粒杂质进行清洗；步骤四：水洗，通过水洗槽将步骤三残留的臭氧水溶液进行清洗；步骤五：制绒，通过制绒槽在溶液KOH及添加剂条件下制备硅片表面金字塔陷光结构；步骤六：水洗，通过水洗槽将步骤五中残留的碱液清洗掉；步骤七：臭氧水清洗，去除步骤五制绒时添加剂残留和其它有机脏污；步骤八：水洗，将步骤七残留的臭氧水溶液进行清洗；步骤九：酸溶液清洗，通过...

【技术特征摘要】
1.一种单晶制绒工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：碱溶液清洗抛光，通过机械手提拉将盛放硅片的花篮放入碱溶液槽进行碱抛光去除硅片损伤层；步骤二：超声波清洗，通过超声波清洗槽将所述步骤一残留的碱液进行清洗；步骤三：臭氧水清洗，通过臭氧水清洗槽将硅片表面略大的颗粒杂质进行清洗；步骤四：水洗，通过水洗槽将步骤三残留的臭氧水溶液进行清洗；步骤五：制绒，通过制绒槽在溶液KOH及添加剂条件下制备硅片表面金字塔陷光结构；步骤六：水洗，通过水洗槽将步骤五中残留的碱液清洗掉；步骤七：臭氧水清洗，去除步骤五制绒时添加剂残留和其它有机脏污；步骤八：水洗，将步骤七残留的臭氧水溶液进行清洗；步骤九：酸溶液清洗，通过溶液HCL、HF清洗硅片表面颗粒及金属杂质；步骤十：水洗，将步骤九中残留的酸溶液进行清洗；步骤十一：慢拉提过滤，通过机械手将花篮慢慢抬起过滤硅片在步骤十中残留的多余水份；步骤十二：烘干，将硅片通过烘干槽、鼓风机结合加热灯管进行烘干。2.根据权利要求1所述的一种单晶制绒工艺，其特征是，所诉步骤二超声波清洗通过在槽体内的在线加热器将水温加热在30～8...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵玉林，邱凯坤，陶俊，张三洋，翟连方，宋准，
申请(专利权)人：无锡琨圣科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32