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本发明的目的在于公开一种背接触电池用干法开槽方法，它包括如下步骤：1)处理过的硅片进行磷扩散；2)在不需要刻蚀的N+区印刷一层聚合物保护涂层；3)采用深反应离子刻蚀不断钝化刻蚀非保护区，优化参数，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌；4)对硅片...该专利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司授权不得商用。