绝缘栅双极型晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括N‑基区、P+基区、N+发射极区、发射极、栅氧化层、栅电极、N型缓冲层、P+集电极区、薄二氧化硅层、N型多晶硅区和金属集电极，其特征在于：所述的N型缓冲层与P+集电极区向远离N‑基区方向依次层叠；所述的薄二氧化硅层与N型多晶硅区由P+集电极区向远离N型缓冲层方向依次层叠组成一个多晶硅发射极区，且此多晶硅发射极区未完全覆盖P+集电极区。N型缓冲层、P+集电极区与多晶硅发射极区构成了一个可以快速开关的多晶硅发射极NPN型三极管，使得器件关断时，形成非平衡载流子抽取的快速通道，帮助绝缘栅双极型晶体管实现迅速开关。

Insulated gate bipolar transistor

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极型晶体管
本专利技术涉及半导体功率器件
，尤其是涉及一种绝缘栅双极型晶体管。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT)是一种发展迅速、应用广泛的半导体功率器件。它可以看作是由金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)组成的复合全控型半导体功率器件。既具有功率MOSFET的电压控制、输入阻抗高、驱动电路简单的优点，又拥有BJT导通电阻小、电流密度大、阻断电压高等多项优点。在家用电器、新能源发电、智能电网、动力牵引等领域中都有着广泛应用。众所周知，在绝缘栅双极型晶体管正向导通时，器件背面的集电极会向N-基区注入大量的非平衡载流子，而且非平衡载流子的浓度会远远超过N-基区原有的平衡载流子的浓度，从而在N-基区内形成非常强烈的电导调制效应，因此可以大大降低了器件的导通压降。但是在器件关断时，大量的非平衡载流子由于不能及时地复合或从集电极抽出，会导致器件有较大的电流拖尾、使器件关断速度变慢，关断损耗增加，并造成器件的工作频率降低。为增加器件的关断速度，降低关断功耗，文献P.A.Gough,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：N‑基区、P+基区、N+发射极区、发射极、栅氧化层、栅电极、N型缓冲层、P+集电极区、薄二氧化硅层、N型多晶硅区和金属集电极，其特征在于：P+基区、N+发射极区、发射极、栅氧化层与栅电极在N‑基区的一侧；所述的N+发射区在P+集电极区远离N‑基区的一侧；所述的发射极覆盖在P+基区与N+发射极区之上，并远离N‑基区；所述的栅氧化层覆盖在N‑基区、P+基区与N+发射极区之上，并不与发射极接触；N型缓冲层、P+集电极区、薄二氧化硅层、N型多晶硅区和金属集电极在N‑基区的另一侧；所述的N型缓冲层与P+集电极区向远离N‑基区方向依次层叠；所述的薄二氧化硅层与...

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：N-基区、P+基区、N+发射极区、发射极、栅氧化层、栅电极、N型缓冲层、P+集电极区、薄二氧化硅层、N型多晶硅区和金属集电极，其特征在于：P+基区、N+发射极区、发射极、栅氧化层与栅电极在N-基区的一侧；所述的N+发射区在P+集电极区远离N-基区的一侧；所述的发射极覆盖在P+基区与N+发射极区之上，并远离N-基区；所述的栅氧化层覆盖在N-基区、P+基区与N+发射极区之上，并不与发射极接触；N型缓冲层、P+集电极区、薄二氧化硅层、N型多晶硅区和金属集电极在N-基区的另一侧；所述的N型缓冲层与P+集电极区向远离N-基区方向依次层叠；所述的薄二氧化硅层与N型多晶硅区由P+集电极区向远离N型缓冲层方向依次层叠组成一个多晶硅发射极区，且此多晶硅发射极区未完全覆盖P+集电极区；所述的N型缓冲层与N型多晶硅区的掺杂类型均为N型掺杂，P+集电极区为P型掺杂；N型缓冲层、P+集电极区与N型多晶硅区的掺杂浓度依次增加；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，鄢细根，黄种德，
申请(专利权)人：厦门中能微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35