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本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括N‑基区、P+基区、N+发射极区、发射极、栅氧化层、栅电极、N型缓冲层、P+集电极区、薄二氧化硅层、N型多晶硅区和金属集电极，其特征在于：所述的N型缓冲层与P+集电极区向远离N‑基区方向依次层叠；所述...
该专利属于厦门中能微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门中能微电子有限公司授权不得商用。

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