一种LED光源及其制作方法技术

技术编号:21836496 阅读:29 留言:0更新日期:2019-08-10 19:28
本发明专利技术适用于LED技术领域,提供了一种LED光源及其制作方法,LED光源包括导电基底、LED晶片组和透明导电层,导电基底上设有第一电极和第二电极,第二电极环设于第一电极周围并与第一电极间隔,LED晶片组设置在第二电极内侧且其底电极与第一电极接触,透明导电层覆盖在LED晶片上,透明导电层的顶部与LED晶片的顶电极接触,透明导电层的底部与LED晶片的底电极接触而实现电性连接。本发明专利技术通过设置覆盖于LED晶片的透明导电层,并使LED晶片的顶电极与基板上的第二电极之间实现电连接,透明导电层能够提供与LED晶片之间可靠、稳定的电连接,且透明导电层允许LED晶片发出的光线直接透过,不会对光源造成遮挡或干扰。

A LED Light Source and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
一种LED光源及其制作方法
本专利技术涉及LED
,特别涉及一种LED光源及其制作方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode,发光二极管)具有亮度高、体积小、使用寿命长以及耗电量低等许多优点,目前被广泛应用在室内、室外照明等多个领域。目前LED晶片有垂直结构和平面结构两种。对于垂直结构,LED芯片003置于基底001上,其下方的焊盘直接与基底001上的第一导电电极(未图示)接触,其上方的电极通过导线002连接至基底001的第二导电电极004上,如图1所示。这样存在的问题是:导线002比较细,容易断裂;导线002通常采用黄金来制作,成本比较高;导线002距离LED芯片003比较近,对光源也会形成一定程度的遮挡或者干扰。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种LED光源,旨在解决现有的LED晶片的导线容易断裂以及对光源造成干扰的技术问题。本专利技术是这样实现的,一种LED光源,包括:导电基底,包括基板和设于所述基板上的第一电极和第二电极,所述第二电极环设于所述第一电极周围并与所述第一电极间隔;LED晶片组,包括至少一个LED晶片,每一所述LED晶片包括依次层叠设置的底电极、外延结构和顶电极;所述LED晶片组由所述第二电极环绕,各所述底电极与所述第一电极接触;以及透明导电层,覆盖于所述LED晶片组上,所述透明导电层的上部与各所述顶电极接触,所述透明导电层的底部与所述第二电极接触。在一个实施例中,所述透明导电层为氧化铟锡、氧化铝锌、氧化铟镓锌和石墨烯中的至少一种。在一个实施例中,所述第一电极的面积小于所述LED晶片组在所述导电基底上的投影面积。在一个实施例中,所述LED光源还包括设于所述LED晶片组的侧面和所述透明导电层之间的台阶胶;所述第二电极与所述LED晶片的底部边缘间隔,所述台阶胶的底部在所述基板上延伸至所述第二电极的内侧面。在一个实施例中,所述LED晶片组包括多个呈至少一行或至少一列排布的LED晶片,且相邻两个所述LED晶片上相互靠近的侧面相接触。本专利技术的另一目的在于提供一种LED光源的制作方法,包括:在基板上形成第一电极和第二电极,所述第二电极环设于所述第一电极周围并与所述第一电极间隔,得到导电基底;制作多个LED晶片,每一所述LED晶片包括依次层叠设置的底电极、外延结构和顶电极;将所述LED晶片转移至所述导电基底上,并使所述第二电极环绕至少一个LED晶片,且各所述底电极与所述第一电极接触;以及在所述LED晶片上形成透明导电层,所述透明导电层的上部与各所述顶电极接触,所述透明导电层的底部与所述第二电极接触。在一个实施例中,所述透明导电层为氧化铟锡、氧化铝锌、氧化铟镓锌和石墨烯中的至少一种,通过物理气相沉积方式制作。在一个实施例中,在形成所述透明导电层之前,还包括在所述LED晶片的侧面形成台阶胶。在一个实施例中,所述第二电极与所述LED晶片的底部边缘间隔,所述台阶胶的底部在所述基板上延伸至所述第二电极的内侧面。在一个实施例中,每一所述第二电极环设多个所述LED晶片,多个所述LED晶片呈至少一行或至少一列排布,且相邻两个所述LED晶片上相互靠近的侧面相接触。本专利技术提供的LED光源,导电基底上设有第一电极和第二电极,所述第二电极环设于所述第一电极周围并与所述第一电极间隔,至少一个LED晶片设置在所述第二电极内且其底电极与所述第一电极接触,透明导电层覆盖在LED晶片上,透明导电层的顶部与LED晶片的顶电极接触,透明导电层的底部与LED晶片的底电极接触而实现电性连接,透明导电层能够提供与LED晶片之间可靠、稳定的电连接,且透明导电层允许LED晶片发出的光线直接透过,不会对光源造成遮挡或干扰。本专利技术提供的LED光源的制作方法,通过形成透明导电层覆盖于LED晶片上并使LED晶片的顶电极电连接至LED晶片周围的呈环状设置的第二电极,能够提供可靠、稳定的电连接,且不会对光源造成遮挡或干扰。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有的LED光源的封装结构示意图;图2是本专利技术实施例提供的LED光源的整体结构图;图3是本专利技术实施例提供的LED光源的导电基底的结构图;图4是本专利技术实施例提供的LED光源的分解结构图一;图5是本专利技术实施例提供的LED光源的分解结构图二;图6是本专利技术实施例提供的LED光源的另一种结构示意图;图7是本专利技术实施例提供的LED光源的剖面示意图;图8是本专利技术实施例提供的LED光源的制作方法的流程图;图9是本专利技术实施例提供的LED光源的制作方法中步骤S1的示意图;图10是本专利技术实施例提供的LED光源的制作方法中步骤S3的示意图一;图11是本专利技术实施例提供的LED光源的制作方法中步骤S3的示意图二;图12是本专利技术实施例提供的LED光源的制作方法中步骤S4的示意图;图13是本专利技术实施例提供的LED光源的制作方法中步骤S5的示意图;图14是本专利技术实施例提供的LED光源的制作方法中步骤S5对应的剖面图。图中标记的含义为:001-基底,002-导线,003-LED芯片,004-第二导电电极;100-LED光源;1-导电基底,10-基板,11-第一电极,12-第二电极;2-LED晶片,20-LED晶片组,21-底电极,22-外延结构,221-第一导电层,222-量子阱层,223-电子阻挡层,224-第二半导体层,23-顶电极;3-台阶胶,4-透明导电层。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。需说明的是,当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件,它可以直接或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件,它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。为了说明本专利技术所述的技术方案,以下结合具体附图及实施例进行详细说明。请参阅图2至图7,本专利技术首先提供一种LED光源100,包括导电基底1、LED晶片组20和透明导电层4,导电基底1包括基板10和设于基板10上的第一电极11和第二电极12,第二电极12环设于第一电极11周围并与第一电极11间隔而绝缘,LED晶片组20可包括至少一个LED晶片2,每一LED晶片2为垂直结构,即包括依次层叠设置的底电极21、外延结构22和顶电极23,LED晶片组20设置于导电基底1上,其由第二电极12环绕,且LED晶片组20内的各个底电极21均与第一电极11接触而电连接,透明导电层4呈覆盖于LED晶片组20上,透明导电层4的上部与LED晶片组20内的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED光源,其特征在于,包括:导电基底,包括基板和设于所述基板上的第一电极和第二电极,所述第二电极环设于所述第一电极周围并与所述第一电极间隔;LED晶片组,包括至少一个LED晶片,每一所述LED晶片包括依次层叠设置的底电极、外延结构和顶电极;所述LED晶片组由所述第二电极环绕,各所述底电极与所述第一电极接触;以及透明导电层,覆盖于所述LED晶片组上,所述透明导电层的上部与各所述顶电极接触,所述透明导电层的底部与所述第二电极接触。

【技术特征摘要】
1.一种LED光源,其特征在于,包括:导电基底,包括基板和设于所述基板上的第一电极和第二电极,所述第二电极环设于所述第一电极周围并与所述第一电极间隔;LED晶片组,包括至少一个LED晶片,每一所述LED晶片包括依次层叠设置的底电极、外延结构和顶电极;所述LED晶片组由所述第二电极环绕,各所述底电极与所述第一电极接触;以及透明导电层,覆盖于所述LED晶片组上,所述透明导电层的上部与各所述顶电极接触,所述透明导电层的底部与所述第二电极接触。2.如权利要求1所述的LED光源,其特征在于,所述透明导电层为氧化铟锡、氧化铝锌、氧化铟镓锌和石墨烯中的至少一种。3.如权利要求1所述的LED光源,其特征在于,所述第一电极的面积小于所述LED晶片组在所述导电基底上的投影面积。4.如权利要求1所述的LED光源,其特征在于,所述LED光源还包括设于所述LED晶片组的侧面和所述透明导电层之间的台阶胶;所述第二电极与所述LED晶片的底部边缘间隔,所述台阶胶的底部在所述基板上延伸至所述第二电极的内侧面。5.如权利要求1至4中任一项所述的LED光源,其特征在于,所述LED晶片组包括多个呈至少一行或至少一列排布的LED晶片,且相邻两个所述LED晶片上相互靠近的侧面相接触。6.一种LED光源...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨冲郭康贤李钊英林秋凤李婷婷涂梅仙
申请(专利权)人:中山市木林森电子有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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