自淬灭打火放大单元、其制备方法、探测器及应用技术

一种自淬灭打火放大单元、其制备方法、探测器及应用，包括：印刷电路板基材；第一类金刚石碳基薄膜，位于印刷电路板基材上下表面；通孔，贯穿印刷电路板基材上下表面；第二类金刚石碳基薄膜，位于所述第一类金刚石碳基薄膜表面和通孔壁上。本发明专利技术提升了探测器抑制打火的能力、极大地提高了THGEM探测器的增益稳定性，简化了阻性THGEM探测器的制作工艺，降低了制作成本，对THGEM探测器的实际应用具有积极的推动作用。

Self-quenching ignition amplifier unit, its preparation method, detector and Application

【技术实现步骤摘要】
自淬灭打火放大单元、其制备方法、探测器及应用
本专利技术涉及微结构气体探测器领域，尤其涉及一种自淬灭打火放大单元、其制备方法、探测器及应用。
技术介绍
微结构气体探测器(Micro-PatternGaseousDetector，简称MPGD)是适应于新一代粒子物理和核物理实验的新型气体探测器，其各项主要性能较以多丝正比室为代表的上一代气体探测器有显著提高，具有广阔的应用前景。厚型气体电子倍增器(ThickGaseousElectronMultiplier，简称THGEM)是MPGD中用的较为广泛的一种，其关键部件是THGEM放大单元，这种放大单元使用印刷电路板(PrintedCircuitBoard，简称PCB)工艺制成。可根据应用需求选择不同的材料来作为THGEM放大单元的基材，如电木板、环氧树脂、陶瓷等。THGEM放大单元所使用的基材典型厚度为0.4mm～1mm，基材两面经过清洗处理后用化学方法和电解法镀铜，铜的厚度在几十微米左右；用机械(或激光)钻孔的方式打出0.3mm～1mm直径的孔，孔与孔之间的距离为0.7mm～1.2mm；然后用化学方法将孔周围的铜刻蚀掉一部分，形成围绕孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自淬灭打火放大单元，其特征在于，包括：印刷电路板基材；第一类金刚石碳基薄膜，位于印刷电路板基材上下表面；通孔，贯穿印刷电路板基材上下表面；第二类金刚石碳基薄膜，位于所述第一类金刚石碳基薄膜表面和通孔壁上。

【技术特征摘要】
1.一种自淬灭打火放大单元，其特征在于，包括：印刷电路板基材；第一类金刚石碳基薄膜，位于印刷电路板基材上下表面；通孔，贯穿印刷电路板基材上下表面；第二类金刚石碳基薄膜，位于所述第一类金刚石碳基薄膜表面和通孔壁上。2.根据权利要求1所述的自淬灭打火放大单元，其特征在于，所述第一类金刚石碳基薄膜的厚度为50～1000nm，电阻率为10～500MΩ/□；作为优选，所述第一类金刚石碳基薄膜的厚度为200nm，电阻率为200MΩ/□。3.根据权利要求1所述的自淬灭打火放大单元，其特征在于，所述第二类金刚石碳基薄膜的厚度为500～1000nm，面电阻率为0.5～2PΩ/□；作为优选，所述第二类金刚石碳基薄膜的厚度为800nm，面电阻率为1PΩ/□。4.根据权利要求1所述的自淬灭打火放大单元，其特征在于，所述印刷电路板基材厚度为0.4～1mm；所述印刷电路板基材为FR4，电木板或陶瓷；作为优选，所述印刷电路板基材材料为FR4。5.根据权利要求1所述的自淬灭打火放大单元，其特征在于，所述通孔的直径为0.3～1mm，间距为0.7～1.2mm；作为优选，所述通孔的直径为0.5mm，间距为1mm。6.如权利要求1-5任一项所述的自淬灭打火放大单元的制备方法，包括如下步骤：S1：在印刷电路板基材上形成第一类金刚石碳基薄膜；S2：在步骤S1得到的印刷电路板基材上下表面上形成通孔；S3：在步骤S2得到的印刷电路板基材上第一类金刚石碳基薄膜表面和通孔壁上形成第二类金刚石碳基薄膜。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤S1之前对所述印刷电路板基材进行预处理使其清洁干燥；步骤S1之前对磁控溅射设备的石墨靶材表面溅射清洗；步骤S2之后步骤S3之前对步骤S2得到的电路板基材进行预处理使其清洁干燥。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：周意，宋国锋，尚伦霖，张广安，鲁志斌，刘建北，张志永，吕游，邵明，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34