【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积装置维护保养方法
本专利技术涉及显示装置制造
，尤其涉及一种化学气相沉积装置维护保养方法。
技术介绍
现有技术中，半导体器件的加工制造过程中，需要在半导体芯片上生成导电薄膜层、绝缘薄膜层等各种薄膜层以及各种沟槽、开口等，生成薄膜层和沟槽等的步骤对半导体器件加工而言是至关重要的环节。一般情况下，薄膜层的生成可以通过物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)、热氧化及化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)等手段实现，沟槽、开口等可以通过刻蚀的方式实现。CVD通常是通过引入前驱物气体或气体混合物到包含基板的真空腔室中来完成。前驱物气体或气体混合物通常被向下导向通过位于腔室顶部附近的扩散器，扩散器均匀在玻璃或基板的上方均匀撒播工序气体。在CVD中，各种气体在同一时间通过扩散器被供应或注入到反应腔室中。然而，在各反应气体之间发生的气相反应会发生在反应腔室内的任何位置，包括在衬底周围的环境空间中。发生在环境空间内的反应是不希望发生的，因为它们能形成微粒，而这些微粒不仅能掩埋在膜中同时还能够堆积在扩散...
【技术保护点】
1.一种化学气相沉积装置维护保养方法，其特征在于，包括：步骤S10：通过气体吹扫，筛选符合测试要求的扩散器；步骤S20：设定检测规格的预设值，通过微粒测量仪对所述扩散器进行微粒检测；步骤S30：将所述扩散器装配到化学气相沉积装置，进行试验生产；以及步骤S40：所述化学气相沉积装置进行正式生产，并持续对所述化学气相沉积装置进行微粒检测。
【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积装置维护保养方法，其特征在于，包括：步骤S10：通过气体吹扫，筛选符合测试要求的扩散器；步骤S20：设定检测规格的预设值，通过微粒测量仪对所述扩散器进行微粒检测；步骤S30：将所述扩散器装配到化学气相沉积装置，进行试验生产；以及步骤S40：所述化学气相沉积装置进行正式生产，并持续对所述化学气相沉积装置进行微粒检测。2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置维护保养方法，其特征在于，所述步骤S10中，对于不符合测试要求的所述扩散器进行返厂维护。3.如权利要求1所述的化学气相沉积装置维护保养方法，其特征在于，所述步骤S20中，在进行所述微粒检测之前，对所述扩散器进行第二次气体吹扫。4.如权利要求3所述的化学气相沉积装置维护保养方法，其特征在于，所述第二次气体吹扫的时间为1小时。5.如权利要求1所述的化学气相沉积装置维护保养方法，其特征在于，所述步骤S20中，若测量结果在所述预设值范围之外，判定当前的维护保养失败，将所述测量结果汇整，修正所述预设值，并将所述扩散器返厂维护。6.如权利要求1所述的化学气相沉积装置维护保养...
【专利技术属性】
技术研发人员：覃多喜，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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