【技术实现步骤摘要】
一种新型磁控溅射装置
本技术涉及一种新型磁控溅射装置。
技术介绍
现有的常规溅射装置,由于磁场分布不均,导致靶材中间部位比两边消耗的更快,造成浪费。同时,在溅射过程中会有少量离子轰击基板,导致已溅射到基板上的靶材原子脱落。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本技术的目的是提供一种新型磁控溅射装置,提高靶材利用率,提升膜厚均匀性。为解决上述技术问题,本技术采用如下技术方案:一种新型磁控溅射装置,包括位于腔室内的靶材和可来回移动的基板,所述靶材正前方设置有保护阀门,所述基板的工艺位置两侧分别设置有第一螺线管,所述第一螺线管背离所述基板一侧对应基板的工艺位置设置有激光定位器,所述保护阀门和激光定位器均与控制器连接,所述控制器用于当接收到所述激光定位器检测到基板移动到工艺位置的信号时控制所述保护阀门打开,否则所述保护阀门保持常闭状态。进一步的,所述腔室底部设置多根第二螺线管。进一步的,各所述第二螺线管是在空心管外周侧将电线朝一个方向缠绕其上制成。进一步的,所述腔室底部设置有5根第二螺线管,其中一根呈直线布置,其它四根分别两两对称设置于该直线布置的第二螺线管两侧,同时其它两两对称设置的四根第二螺线管均为弯曲的螺线管,互为对称结构的两根第二螺线管呈近椭圆形。进一步的,所述控制器为PLC控制器或计算机。进一步的,所述第一螺线管是将电线朝一个方向缠绕于空心管外周侧上制成。进一步的,所述第一螺线管竖直设置。与现有技术相比,本技术的有益技术效果:只有当基板移动到激光定位器处时,保护阀门才会打开,否则保持常闭状态,这样既保护靶材免于污染,又提高了靶材利用率,避免生产过程中的浪费;在腔 ...
【技术保护点】
1.一种新型磁控溅射装置,包括位于腔室内的靶材和可来回移动的基板,其特征在于:所述靶材正前方设置有保护阀门,所述基板的工艺位置两侧分别设置有第一螺线管,所述第一螺线管背离所述基板一侧对应基板的工艺位置设置有激光定位器,所述保护阀门和激光定位器均与控制器连接,所述控制器用于当接收到所述激光定位器检测到基板移动到工艺位置的信号时控制所述保护阀门打开,否则所述保护阀门保持常闭状态。
【技术特征摘要】
1.一种新型磁控溅射装置,包括位于腔室内的靶材和可来回移动的基板,其特征在于:所述靶材正前方设置有保护阀门,所述基板的工艺位置两侧分别设置有第一螺线管,所述第一螺线管背离所述基板一侧对应基板的工艺位置设置有激光定位器,所述保护阀门和激光定位器均与控制器连接,所述控制器用于当接收到所述激光定位器检测到基板移动到工艺位置的信号时控制所述保护阀门打开,否则所述保护阀门保持常闭状态。2.根据权利要求1所述的新型磁控溅射装置,其特征在于:所述腔室底部设置多根第二螺线管。3.根据权利要求2所述的新型磁控溅射装置,其特征在于:各所述第二螺线管是在空心管外周侧将电线...
【专利技术属性】
技术研发人员:褚天舒,
申请(专利权)人:湖畔光电科技江苏有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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