【技术实现步骤摘要】
柔性电子器件及其制造方法
本申请属于电子器件和电子线路领域，尤其涉及柔性电子器件及其制造方法。
技术介绍
近些年，柔性可穿戴电子产品受到了广泛的关注也得到了深入的研究。作为柔性可穿戴电子产品的一个分支，对全柔性薄膜晶体管(TFTs)的研发也在持续进行。从材料的角度讲，全柔性的薄膜晶体管要求其所有的组成部分采用的材料都是柔性的。低维材料(lowdimensionalmaterials,LDM)，例如氮化硼(h-BN),石墨烯及其衍生物，碳纳米管，黑磷，以及过渡金属硫族化合物(TMD)族等等，其独特的原子结构赋予了它们优秀的柔性以及导电特性。但是如何将这些材料制备成为全柔性器件仍然是悬而未决的问题。由于低维材料对于等离子束的抵抗能力弱，并且本身的原子结构同质性也比较高，因此无法采用传统的等离子刻蚀工艺来对低维材料进行图形化而同时保证不破坏在相同平台上的其他组件。现在制造低维材料晶体管的方法一般是采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为媒介来转移低维材料，然后蒸镀金属作为电极。这种方法会使整个器件的透明度大大降低。并且，由于晶体管之间缺少隔离因此无法利用该方法制备的晶体管来...
【技术保护点】
1.一种制备柔性电子器件的方法，包括准备带孔的柔性滤膜；准备一个或多个经图形化的掩膜版；通过真空抽滤在所述经图形化的掩膜版和所述滤膜上分别形成一层或多层柔性材料；以及去除所述掩膜版。
【技术特征摘要】
1.一种制备柔性电子器件的方法，包括准备带孔的柔性滤膜；准备一个或多个经图形化的掩膜版；通过真空抽滤在所述经图形化的掩膜版和所述滤膜上分别形成一层或多层柔性材料；以及去除所述掩膜版。2.如权利要求1所述的方法，还包括在所述电子器件的全部结构形成后，填充所述滤膜的孔。3.如权利要求1所述的方法，其中所述掩膜版为光刻胶层；所述准备经图形化的掩膜版包括，在所述滤膜上形成光刻胶层，以及对所述光刻胶层进行图形化；所述去除所述掩膜版包括去除所述光刻胶层。4.如权利要求1所述的方法，其中所述柔性材料包括一维或二维材料。5.如权利要求4所述的方法，其中当所述电子器件为晶体管的时候，所述柔性材料至少包括半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管，和/或石墨烯氧化物。6.如权利要求1所述的方法，其中对所述经图形化的掩膜版包括与所述电子器件结构对应的图形以及与对准标记对应的图形。7.如权利要求6所述的方法，其中形成所述柔性材料时，针对...
【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，杜春晖，黄秋月，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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