一种模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种模拟神经突触的无机‑有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，属于半导体微电子器件与人工智能的交叉领域，利用分子层沉积和原子层沉积技术低温来制备具有良好模拟神经突触仿生功能的无机‑有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。本发明专利技术的忆阻器包括从下往上依次为衬底、底电极、忆阻功能层、顶电极；所述忆阻功能层由下层无机‑有机杂化薄膜和上层金属氧化物薄膜的双层纳米堆栈结构薄膜材料构成。

【技术实现步骤摘要】
一种模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器及其制备方法
本专利技术属于半导体微电子器件与人工智能的交叉领域，尤其涉及一种模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器及其制备方法。
技术介绍
忆阻器是继电阻、电容、电感之后的第四种无源电路器件，在1971年由华裔科学家蔡少棠教授研究电压、电流、电荷与磁通量之间的关系时，根据数学逻辑关系的完整性研究提出。忆阻器的电阻值可以随电压而发生变化，而且可以记住改变的状态，即某一时刻的电阻值与流过器件的电流相关。这个特性与生物体内神经突触的工作原理有很大的相似度，突触间的连接强度随着外来信号的刺激而发生变化，而且可以维持变化的连接强度。同时，由突触前膜、突触间隙和突触后膜构成的神经突触本身就可以看成是一个具有非线性传输特性的两端器件。神经突触是大脑学习和记忆的最基础单元，对其突触功能进行模拟是构建人工神经形态网络的重要一环。所以利用忆阻器这类具有非线性电学性质的半导体器件来模拟神经突触是当今人工智能类脑研究领域的热点与重点之一。在以往的研究中，大多采用无机材料来做忆阻功能层，少量涉及有机物忆阻材料，对于无机-有机杂化材料，其在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种模拟神经突触的无机‑有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，其特征在于，包括从下往上依次为衬底、底电极、忆阻功能层、顶电极；所述忆阻功能层由下层无机‑有机杂化薄膜和上层金属氧化物薄膜的双层纳米堆栈结构薄膜材料构成。

【技术特征摘要】
1.一种模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，其特征在于，包括从下往上依次为衬底、底电极、忆阻功能层、顶电极；所述忆阻功能层由下层无机-有机杂化薄膜和上层金属氧化物薄膜的双层纳米堆栈结构薄膜材料构成。2.根据权利要求1所述的模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，其特征在于，所述无机-有机杂化薄膜的厚度为4nm～10nm，所述金属氧化物薄膜的厚度为2nm～6nm。3.根据权利要求2所述的模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，其特征在于，所述无机-有机杂化薄膜为金属基二元羧酸杂化薄膜。4.根据权利要求3所述的模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，其特征在于，所述二元羧酸为二元饱和羧酸CnH2n-2O4和二元不饱和羧酸CnH2n-4O4，所述二元饱和羧酸中4≤n≤10，所述二元不饱和羧酸中n=4或5。5.根据权利要求3所述的模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，其特征在于，所述金属基为Al、Ti、Zn、Hf、Zr、Ni或Co。6.根据权利要求2所述的模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，其特征在于，所述金属氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：李爱东，刘畅，曹燕强，吴迪，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32