一种柔性铁电场效应管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种柔性铁电场效应管，包括：水平衬底、源极、漏极和缓冲层；水平衬底经过刻蚀后达到预设厚度，使水平衬底可实现预设弯曲半径范围的弯曲；源极和漏极间隔设置在水平衬底的一面上；源极设置有源电极；漏极设置有漏电极；缓冲层设置在水平衬底的一面上，且位于源极和漏极之间，缓冲层远离水平衬底的一面上设置有铁电薄膜层，铁电薄膜层远离缓冲层的一面上设置有栅电极。还公开了一种柔性铁电场效应管的制备方法。本发明专利技术通过采用刻蚀减薄衬底材料厚度以实现柔性铁电场效应管，具有工艺简单和成本低廉等优点；通过利用氧化铪基铁电薄膜层在超薄状态仍具有的优异铁电性，提高了场效应管的存储容量，降低了器件的发热量和能耗。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性铁电场效应管及其制备方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种柔性铁电场效应管及其制备方法。
技术介绍
电子信息产业作为高新技术产业，在扩大社会就业、推动经济转型升级、增强国际竞争力和维护国家安全等方面扮演着更加重要的角色。近年来，柔性电子器件已经引起了人们越来越广泛的关注，这得益于它们在便携式电子产品和可穿戴电子产品方面拥有的巨大应用潜力，其中包括可卷曲的电子书，可穿戴的传感器，有机发光二极管等。人们对于柔性电子器件越来越高的需求也促进了柔性存储器件的发展，柔性存储器兼具有低功耗，高集成度，机械可弯曲性等优点。对于一般而言的半导体衬底厚度都较厚，比如硅，厚度高达几百微米，通常认为是不具有柔性的。但由于弯曲模量(Ebend)与材料厚度(t)的3次方的倒数成反比的关系，既Ebend∝1/t3，弯曲模量(Ebend)值越大，表示材料在弹性极限内抵抗弯曲变形能力相对性小，所以当硅等半导体衬底的厚度足够小时，材料便能具有柔性。铁电存储器是以铁电薄膜作为存储介质的新型存储器，通过微电子工艺技术与半导体集成所制成的非挥发性存储器。铁电存储器代表了电子信息产品趋向高密度、高读写速本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性铁电场效应管，其特征在于，包括：水平衬底(1)、源极(2)、漏极(3)和缓冲层(4)；所述水平衬底(1)经过刻蚀后达到预设厚度，使所述水平衬底(1)可实现预设弯曲半径范围的弯曲；所述源极(2)和所述漏极(3)间隔设置在所述水平衬底(1)的一面上；所述源极(2)远离所述水平衬底(1)的一面上设置有源电极(7)；所述漏极(3)远离所述水平衬底(1)的一面上设置有漏电极(8)；所述缓冲层(4)设置在所述水平衬底(1)的一面上，且位于所述源极(2)和所述漏极(3)之间，所述缓冲层(4)远离所述水平衬底(1)的一面上设置有铁电薄膜层(5)，所述铁电薄膜层(5)远离所述缓冲层(4)的一面上设置...

【技术特征摘要】
1.一种柔性铁电场效应管，其特征在于，包括：水平衬底(1)、源极(2)、漏极(3)和缓冲层(4)；所述水平衬底(1)经过刻蚀后达到预设厚度，使所述水平衬底(1)可实现预设弯曲半径范围的弯曲；所述源极(2)和所述漏极(3)间隔设置在所述水平衬底(1)的一面上；所述源极(2)远离所述水平衬底(1)的一面上设置有源电极(7)；所述漏极(3)远离所述水平衬底(1)的一面上设置有漏电极(8)；所述缓冲层(4)设置在所述水平衬底(1)的一面上，且位于所述源极(2)和所述漏极(3)之间，所述缓冲层(4)远离所述水平衬底(1)的一面上设置有铁电薄膜层(5)，所述铁电薄膜层(5)远离所述缓冲层(4)的一面上设置有栅电极(6)。2.根据权利要求1所述的柔性铁电场效应管，其特征在于，所述水平衬底的预设厚度的范围为40μm-100μm。3.根据权利要求1所述的柔性铁电场效应管，其特征在于，所述预设弯曲半径的范围为0.5cm-5cm。4.根据权利要求1所述的柔性铁电场效应管，其特征在于，所述水平衬底(1)的材料为硅。5.根据权利要求1所述的柔性铁电场效应管，其特征在于，所述源极(2)和所述漏极(3)位于所述水平衬底(1)内。6.根据权利要求1所述的柔性铁电场效应管，其特征在于，所述缓冲层(4)厚度的范围为0-50nm。7.根据权利要求1所述的柔性铁电场效应管，其特征在于，所述铁电薄膜层(5)厚度的范围为1nm-100nm。8.根据权利要求1所述的柔性铁电场效应管，其特征在于，所述栅电极(6)厚度的范围为20nm-100nm。9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖敏，陈新，郑帅至，彭强祥，尹路，周益春，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43