【技术实现步骤摘要】
氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术属于晶体管
，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
显示器已经成为人们日常工作和生活中不可或缺的部分，随着液晶显示器的发展和有源矩阵概念的深入，薄膜晶体管(TFT)技术得到了广泛的研究。目前比较成熟的TFT技术包括以氢化非晶硅(a-Si:HTFT)和多晶硅(p-SiTFT)薄膜晶体管为代表的硅基薄膜晶体管等，两者均已得到广泛的应用。但前者较低的场效应迁移率及后者较高的成本难以大规模生产薄膜晶体管的发展遭到了局限，更不适合下一代显示技术OLED及QLED的应用。有机薄膜晶体管(OTFT)具备制备方法多、可低温制备、柔韧度高等优势，但器件稳定性较差，且有机物易受水氧等外界条件影响等不利于其进一步应用。与传统的非晶硅和多晶硅TFT相比，氧化物TFT(氧化物薄膜晶体管)如基于ZnO形成的IGZO(铟镓锌氧化物)TFT技术不经具有高迁移率和稳定性、均匀性好等优点，而且其薄膜可实现低温制备，衬底可以选择柔性的塑料以制备柔性显示器件，成为近年来备受业界关注并得到大力发展的新型TFT背板技术。目前，氧化物TFT通常采用...
【技术保护点】
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极，结合在所述栅极一表面的绝缘层，在所述绝缘层远离所述栅极表面设置的有源层，在所述有源层远离所述绝缘层的表面两端分别设置互不接触的源极和漏极，其中，所述有源层包括依次结合在所述绝缘层表面的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层的厚度大于所述第二有源层的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极，结合在所述栅极一表面的绝缘层，在所述绝缘层远离所述栅极表面设置的有源层，在所述有源层远离所述绝缘层的表面两端分别设置互不接触的源极和漏极，其中，所述有源层包括依次结合在所述绝缘层表面的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层的厚度大于所述第二有源层的厚度。2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层的厚度为5-30nm。3.如权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层的厚度比所述第二有源层的厚度大2-15nm。4.如权利要求1-3任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第二有源层的厚度为3-15nm。5.如权利要求1-3任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层与所述第二有源层为同质有源层；或所述第一有源层与所述第二有源层为异质有源层。6.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供栅极，在所述栅极一表面形成绝缘层；在所述绝缘层远离所述栅极的表面采用溶液法制备有源层；在所述有源层原理所述绝缘层的表面两侧分别形成源极和漏极；其中，所述有源层的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员：辛征航，向超宇，李乐，张滔，王雄志，
申请(专利权)人：深圳TCL工业研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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