N型太阳能电池的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种N型太阳能电池的制作方法，包括：对N型硅衬底进行双面制绒；对该N型硅衬底进行硼扩散以在该N型硅衬底的正面中形成P型掺杂层作为正面发射极；对该N型硅衬底进行背面刻蚀以去除在扩散过程中形成于该N型硅衬底背面的P型掺杂区域；对该N型硅衬底背面进行N型掺杂元素离子注入，形成N型掺杂背场；在该N型硅衬底背面形成氧化层；在该氧化层上形成N型多晶硅层。因为重掺杂背场的存在，金属和硅接触处的复合较小，太阳能电池的开路电压和转换效率得以提高。

Fabrication of N-type solar cells

【技术实现步骤摘要】
N型太阳能电池的制作方法
本专利技术涉及一种太阳能电池的制作方法，特别是涉及一种N型太阳能电池的制作方法。
技术介绍
N型太阳能电池因为其较高的转化效率、超低的光致衰减以及双面发电的特性受到越来越多的关注。目前N型双面电池已经实现大规模的量产。但是受到背面钝化和金属半导体接触处的少子复合的限制，N型双面电池转化效率在22％将达到瓶颈。TOPCon(隧穿氧化层多晶硅钝化接触)技术的发展给N型太阳能电池提供了进一步提升效率的空间。N型太阳能电池背面采用TOPCon技术，利用背面N型多晶硅形成背面载流子选择性电极，避免了背面金属半导体接触处的少子复合，降低了太阳能电池的暗饱和电流J0，可以实现23％以上的转换效率。然而在实际生产中，丝网印刷银浆然后再高温烧结仍然是主要的形成金属电极的工艺。银浆在高温烧结的过程中会与背面多晶硅反应，甚至会烧穿背面多晶硅层和隧穿氧化层，直接与硅衬底接触。金属与硅直接接触的部分会造成严重的少子复合，这样使得TOPCon结构钝化的效果在形成金属电极的过程中被破坏，制作的太阳能电池得不到理论上的较高的转换效率。因为金属与硅接触部分的少子复合与硅中的掺杂浓度密切相关，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对N型硅衬底进行双面制绒；S2：对该N型硅衬底进行硼扩散以在该N型硅衬底的正面形成P型掺杂层作为正面发射极；S3：对该N型硅衬底进行背面刻蚀以去除在扩散过程中形成于该N型硅衬底背面的P型掺杂区域；S4：对该N型硅衬底背面进行N型掺杂元素离子注入，形成N型掺杂背场；S5：在该N型硅衬底背面形成氧化层；S6：在该氧化层上形成N型多晶硅层；S7：在该N型硅衬底正面和背面形成减反射膜；S8：在该N型硅片正面和背面形成金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对N型硅衬底进行双面制绒；S2：对该N型硅衬底进行硼扩散以在该N型硅衬底的正面形成P型掺杂层作为正面发射极；S3：对该N型硅衬底进行背面刻蚀以去除在扩散过程中形成于该N型硅衬底背面的P型掺杂区域；S4：对该N型硅衬底背面进行N型掺杂元素离子注入，形成N型掺杂背场；S5：在该N型硅衬底背面形成氧化层；S6：在该氧化层上形成N型多晶硅层；S7：在该N型硅衬底正面和背面形成减反射膜；S8：在该N型硅片正面和背面形成金属电极。2.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S4中的N型掺杂元素离子注入为覆盖整个背面的整面注入，以在该N型硅衬底的背面形成N型掺杂层作为N型掺杂背场。3.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S4中的N型掺杂元素磷离子注入为图案化局部注入，以在该N型硅衬底的背面中的相互间隔的预定区域中形成N型掺杂区域作为局部N型掺杂背场，并且，步骤S8中背面的金属电极位于与N型掺杂区域相应的位置。4.如权利要求3所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，图案化注入的注入区域宽度为50μm-500μm。5.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S4中采用磷元素，其中磷离子注入能量为1-15keV，剂量为1e14-5e1...

【专利技术属性】
技术研发人员：何川，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31