太阳能电池的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：对N型硅衬底进行双面制绒；在该N型硅衬底正面形成氧化层；在该氧化层上形成非晶硅或多晶硅；对该非晶硅或多晶硅进行选择性含硼元素注入，以在非晶硅或多晶硅的预定区域形成含硼元素掺杂；热处理该N型硅衬底，经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成P型多晶硅，未经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成本征多晶硅；对该N型硅衬底的正面进行碱刻蚀以去除至少部分该本征多晶硅，并保留P型多晶硅。利用简单的离子注入和选择性碱刻蚀工艺在N型太阳能电池正面形成图案化多晶硅层，既能减小多晶硅的吸光效应，又可以减少少子复合对太阳能电池效率的影响。

Fabrication of Solar Cells

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制作方法
本专利技术涉及一种太阳能电池的制作方法，特别是涉及一种具有选择性电极的太阳能电池的制作方法。
技术介绍
N型太阳能电池因为其较高的转化效率、超低的光致衰减以及双面发电的特性收到越来越多的关注。目前N型双面电池已经实现大规模的量产。但是受到背面钝化和金属半导体接触处的少子复合的限制，N型双面电池转化效率在22％将达到瓶颈。TOPCon(隧穿氧化层钝化接触)技术的发展给n型太阳能电池提供了进一步提升效率的空间。TOPCon技术利用隧穿氧化层和多晶硅载流子选择性电极避免了金属半导体接触处的少子复合，可以得到700mV以上的开路电压。N型太阳能电池背面采用TOPCon技术，利用背面n型多晶硅形成背面载流子选择性电极，避免了背面金属半导体接触处的少子复合，降低了太阳能电池的暗饱和电流J0，可以实现23％以上的转换效率。但是正面仍然采用硼扩散形成发射极，印刷烧结形成正面电极。正面金属半导体接触处的少子复合对太阳能电池效率造成的降低仍然存在。要进一步提升N型太阳能电池的转换效率，降低正面金属半导体接触处的少子复合是必须要解决的问题。正面采用TOPCon技术，用P型多晶硅形成载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对N型硅衬底进行双面制绒；S2：在该N型硅衬底正面形成氧化层；S3：在该氧化层上形成非晶硅或多晶硅；S4：对该非晶硅或多晶硅进行选择性含硼元素注入，以在非晶硅或多晶硅的预定区域形成含硼元素掺杂；S5：热处理该N型硅衬底，经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成P型多晶硅，未经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成本征多晶硅；S6：对该N型硅衬底的正面进行碱刻蚀以去除至少部分该本征多晶硅，并保留P型多晶硅。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对N型硅衬底进行双面制绒；S2：在该N型硅衬底正面形成氧化层；S3：在该氧化层上形成非晶硅或多晶硅；S4：对该非晶硅或多晶硅进行选择性含硼元素注入，以在非晶硅或多晶硅的预定区域形成含硼元素掺杂；S5：热处理该N型硅衬底，经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成P型多晶硅，未经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成本征多晶硅；S6：对该N型硅衬底的正面进行碱刻蚀以去除至少部分该本征多晶硅，并保留P型多晶硅。2.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S6中本征多晶硅和P型多晶硅的刻蚀速率之比为10：1-200：1。3.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，S1和S2步骤之间还包括以下步骤：St1：对该N型硅衬底进行硼扩散以在该N型硅衬底的正面中形成硼掺杂层并在该N型硅衬底的正面形成硼硅玻璃，以及在该N型硅衬底的背面形成硼掺杂区域并在N型硅衬底的背面形成硼硅玻璃；St2：去除N型硅衬底正面和背面的硼硅玻璃，并去除背面的该硼掺杂区域，其中，硼掺杂层中硼的掺杂浓度小于非晶硅或多晶硅中硼的掺杂浓度，或者，S1和S2步骤之间还包括以下步骤：Sp1：对该N型硅衬底的正面进行含硼元素注入以在该N型硅衬底的正面中形成硼掺杂层，其中硼掺杂层中硼的掺杂浓度小于非晶硅或多晶硅中硼的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何川，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31