一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳电池技术领域，尤其是一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池；包括衬底，衬底采用P型单晶硅片，衬底的背面包括发射结区域和背场区域，发射结区域外有一层隧穿氧化层，隧穿氧化层外有一层多晶硅薄膜层，背场区域和多晶硅薄膜层外有一层背面氧化铝薄膜层，衬底的正面有一层正面氧化铝薄膜层，背面氧化铝薄膜层和正面氧化铝薄膜层外分别有一层背面氮化硅薄膜层和正面氮化硅薄膜层，背场区域有烧结铝浆层，烧结铝浆层穿过氧化铝薄膜层和氮化硅薄膜层渗透至衬底中，发射结区域有银浆烧结层，银浆烧结层穿过氮化硅薄膜层和氧化铝薄膜层；本实用新型专利技术的全背电极太阳电池效率高，银浆用量少，且无硼扩散等昂贵工艺，电池生产成本低。

A Low Cost P-type All-Back Electrode Crystalline Silicon Solar Cell

【技术实现步骤摘要】
一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池
本专利技术涉及太阳电池
，尤其是一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池。
技术介绍
近年来，钝化接触技术在晶体硅太阳电池领域受到了广泛的关注，被认为是继PERC之后最有希望产业化的一种高效电池技术。目前采用钝化接触技术、两面均有电极的电池最高效率是由德国弗朗恩禾费太阳能系统研究所创造的N型电池，效率为25.8%；而采用钝化接触技术的P型全背电极太阳电池最高效率更是达到了26.1%。两者的钝化接触均采用隧穿二氧化硅层，以及叠加在隧穿二氧化硅层上的多晶硅薄膜。目前制备多晶硅薄膜的方法主要包括：(1)首先沉积本征非晶硅层，再通过扩散或者离子注入实现掺杂P型或者n型微晶硅；(2)首先沉积掺杂型非晶硅层，再进行高温退火。无论哪种方法制备的多晶硅薄膜都具有较强的寄生光吸收，因此只能放置于电池背面。而多晶硅薄膜置于电池背面后，往往不能再用铝浆来实现背面金属化，简单地将背面铝浆改为银浆或银铝浆将面临着银浆用量倍增的问题。而铝浆由于展宽、铝粉颗粒大等问题也不适用于电池正面。为了引入钝化接触技术的同时保持银浆用量不变，本专利技术巧妙地设计了一种全背电极太阳电池，在电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池，其特征在于：包括衬底，所述衬底采用P型单晶硅片，所述衬底的背面包括发射结区域和背场区域，所述发射结区域外有一层隧穿氧化层，所述隧穿氧化层外有一层多晶硅薄膜层，所述背场区域和多晶硅薄膜层外有一层背面氧化铝薄膜层，所述衬底的正面有一层正面氧化铝薄膜层，所述背面氧化铝薄膜层和正面氧化铝薄膜层外分别有一层背面氮化硅薄膜层和正面氮化硅薄膜层，所述背场区域有烧结铝浆层，所述烧结铝浆层穿过氧化铝薄膜层和氮化硅薄膜层渗透至衬底中，所述发射结区域有银浆烧结层，所述银浆烧结层穿过氮化硅薄膜层和氧化铝薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池，其特征在于：包括衬底，所述衬底采用P型单晶硅片，所述衬底的背面包括发射结区域和背场区域，所述发射结区域外有一层隧穿氧化层，所述隧穿氧化层外有一层多晶硅薄膜层，所述背场区域和多晶硅薄膜层外有一层背面氧化铝薄膜层，所述衬底的正面有一层正面氧化铝薄膜层，所述背面氧化铝薄膜层和正面氧化铝薄膜层外分别有一层背面氮化硅薄膜层和正面氮化硅薄膜层，所述背场区域有烧结铝浆层，所述烧结铝浆层穿过氧化铝薄膜层和氮化硅薄膜层渗透至衬底中，所述发射结区域有银浆烧结层，所述银浆烧结层穿过氮化硅薄膜层和氧化铝薄膜层。2.根据权利要求1所述的一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池，其特征在于：所述P型单晶硅片的正面为金字塔状绒面，背面为抛光过...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁声召，崔艳峰，万义茂，黄强，林海峰，
申请(专利权)人：东方日升常州新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32