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本实用新型涉及太阳电池技术领域，尤其是一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池；包括衬底，衬底采用P型单晶硅片，衬底的背面包括发射结区域和背场区域，发射结区域外有一层隧穿氧化层，隧穿氧化层外有一层多晶硅薄膜层，背场区域和多晶硅薄膜层外有一层背面氧...
该专利属于东方日升（常州）新能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方日升（常州）新能源有限公司授权不得商用。

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