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本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：对N型硅衬底进行双面制绒；在该N型硅衬底正面形成氧化层；在该氧化层上形成非晶硅或多晶硅；对该非晶硅或多晶硅进行选择性含硼元素注入，以在非晶硅或多晶硅的预定区域形成含硼元素掺杂；热处理该N型硅衬底，...
该专利属于上海凯世通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海凯世通半导体股份有限公司授权不得商用。

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