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本发明公开了一种N型太阳能电池的制作方法，包括：对N型硅衬底进行双面制绒；对该N型硅衬底进行硼扩散以在该N型硅衬底的正面中形成P型掺杂层作为正面发射极；对该N型硅衬底进行背面刻蚀以去除在扩散过程中形成于该N型硅衬底背面的P型掺杂区域；对该N...
该专利属于上海凯世通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海凯世通半导体股份有限公司授权不得商用。

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