【技术实现步骤摘要】
存储单元的电容测试装置、方法及半导体存储器
本专利技术涉及半导体存储器测试领域，具体涉及一种存储单元的电容测试装置，还涉及一种存储单元的电容测试方法，以及一种半导体存储器。
技术介绍
在动态随机存储器(DRAM)中，包括大量存储单元，存储单元的电容一般很小(约几十fF量级)，目前为了测量出单个存储单元的电容值，采用的方法是将整个存储阵列中的所有存储单元的电容并联起来，通过LCRMeter测量出所有并联的存储单元的电容值，进而根据电路中并联的存储单元的数量计算出单个存储单元的电容值。然而，由于测试精度的影响，传统LCR测试计算出的存储单元的电容是一种平均电容，不能给出整个存储阵列中的所有存储单元电容值分布信息。存储单元电容值往往与所处的空间位置也有关系，比如，边缘存储单元周围结构与内部存储单元周围结构的不同会导致制备出的存储单元电容值发生变化，但这种变化的大小是传统LCR测试结果无法提供的。因此，如何测量存储阵列中的所有存储单元的电容值分布是本领域技术人员急需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储单元的电容测试装置，一种存储单元的电容测试方法，以及一种...
【技术保护点】
1.一种存储单元的电容测试装置，应用于存储阵列，所述存储阵列包括矩阵排列的多个所述存储单元，所述存储单元包括第一晶体管，所述第一晶体管的漏极连接电容的一端，其特征在于，所述电容测试装置包括多个测试电路，其中，每个所述测试电路包括：第二晶体管，包括接地的漏极；以及第三晶体管，包括接地的漏极，其中，所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的源极与所述第三晶体管的源极均连接至节点；其中，当所述第一晶体管导通且所述电容的另一端连接至电源，所述第二晶体管导通且所述第三晶体管关断，在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间形成充电电流；并且，当所述第二晶体管关断且所述第三晶体管导通，在所述第一晶...
【技术特征摘要】
1.一种存储单元的电容测试装置，应用于存储阵列，所述存储阵列包括矩阵排列的多个所述存储单元，所述存储单元包括第一晶体管，所述第一晶体管的漏极连接电容的一端，其特征在于，所述电容测试装置包括多个测试电路，其中，每个所述测试电路包括：第二晶体管，包括接地的漏极；以及第三晶体管，包括接地的漏极，其中，所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的源极与所述第三晶体管的源极均连接至节点；其中，当所述第一晶体管导通且所述电容的另一端连接至电源，所述第二晶体管导通且所述第三晶体管关断，在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间形成充电电流；并且，当所述第二晶体管关断且所述第三晶体管导通，在所述第一晶体管与所述第三晶体管之间形成放电电流，以根据所述充电电流与所述放电电流计算所述电容的电容值。2.如权利要求1所述的存储单元的电容测试装置，其特征在于，所述第二晶体管的栅极连接至第一时钟信号，以控制所述第二晶体管导通或关断，所述第三晶体管的栅极连接至第二时钟信号，以控制所述第三晶体管导通或关断。3.如权利要求1所述的存储单元的电容测试装置，其特征在于，同一行的多个所述存储单元中的所述第一晶体管的栅极连接至同一字线上，以通过所述字线开启所述第一晶体管；以及同一列的多个所述存储单元中的所述第一晶体管的源极连接至同一位线上，所述位线的末端连接至所述节点。4.如权利要求1、2或3所述的存储单元的电容测试装置，其特征在于，当所述第一晶体管导通且所述电容的另一端接地，所述第二晶体管导通且所述第三晶体管关断，在所述第二晶体管中形成第一漏电流；并且，当所述第三晶体管导通且所述第二晶体管关断，在所述第三晶体管中形成第二漏电流，以根据所述充电电流、所述放电电流、所述第一漏电流、所述第二漏电流计算所述电容的电容值。5.一种半导体存储器，其特征在于，包括如权利要求1所述的种存储单元的电容测试装置。6.一种存储单元的电容测试方法，应用于权利要求1所述存储单元的电容测试装置，所述存...
【专利技术属性】
技术研发人员：周步康，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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