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本发明提供了一种存储单元的电容测试装置，包括与存储单元连接的多个测试电路，存储单元包括第一晶体管，第一晶体管的漏极连接电容的一端，每个测试电路包括：第二晶体管，包括接地的漏极；第三晶体管，包括接地的漏极，第一晶体管的源极、第二晶体管的源极与...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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