一种3D闪存芯片的制作方法及电子产品技术

本发明专利技术涉及半导体存储器制造技术领域，尤其涉及一种3D闪存芯片的制作方法及电子产品，包括步骤S1、提供一3D闪存芯片，3D闪存芯片包括一衬底，于衬底上形成多个闪存串，且每个闪存串包括多个存储单元；于每个闪存串中形成一电子沟道，并于电子沟道与存储单元的存储介质之间形成第一隧道氧化层或第二隧道氧化层；步骤S2、于一预设时间内，将采用第二隧道氧化层的存储单元中存储的数据转移备份至采用第一隧道氧化层的存储单元或片外存储单元中；步骤S3、于步骤S2之后，将数据重新加载至采用第二隧道氧化层的存储单元中。上述技术方案：打破传统3D闪存芯片制造工艺的壁垒，使3D闪存芯片既可以让数据保持时间较长又不影响数据读写速度。

A Method of Making 3D Flash Memory Chip and Its Electronic Products

【技术实现步骤摘要】
一种3D闪存芯片的制作方法及电子产品
本专利技术涉及半导体存储器制作
，尤其涉及一种3D闪存芯片的制作方法及电子产品。
技术介绍
随着半导体技术的发展，闪存这种非易失存储器在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础，因此对于闪存芯片的制作技术要求不断提高。在传统的3D闪存芯片的制作过程中，通常用硅做电子通道和衬底，其中，隧道氧化层的厚度由于需要考虑到数据保持时间的问题不得不做的相对较厚，防止泄露电子，但是，隧道氧化层做的较厚就影响了3D闪存芯片的读写速度，因此，在保持数据时间和数据读写速度方面，传统闪存芯片制造技术无法保证二者完美兼备的功能。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供一种3D闪存芯片制造方法及电子产品。具体技术方案如下：一种3D闪存芯片的制作方法，其中包括：步骤S1、提供一3D闪存芯片，所述3D闪存芯片包括一衬底，于所述衬底上形成一堆叠层，所述堆叠层包括多个闪存串，且每个所述闪存串由多个存储单元堆叠形成；于每个所述闪存串中刻蚀形成一贯穿所述闪存串的电子沟道，并于所述电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D闪存芯片的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供一3D闪存芯片，所述3D闪存芯片包括一衬底，于所述衬底上形成一堆叠层，所述堆叠层包括多个闪存串，且每个所述闪存串由多个存储单元堆叠形成；于每个所述闪存串中刻蚀形成一贯穿所述闪存串的电子沟道，并于所述电子沟道与所述存储单元的存储介质之间形成一第一隧道氧化层或一第二隧道氧化层，且所述第二隧道氧化层的厚度小于所述第一隧道氧化层的厚度；步骤S2、于一预设时间内，对采用所述第二隧道氧化层的所述存储单元进行刷新操作，所述刷新操作指将采用所述第二隧道氧化层的所述存储单元中存储的数据转移备份至采用所述第一隧道氧化层的所述存储单元或片外存储单元中；...

【技术特征摘要】
1.一种3D闪存芯片的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供一3D闪存芯片，所述3D闪存芯片包括一衬底，于所述衬底上形成一堆叠层，所述堆叠层包括多个闪存串，且每个所述闪存串由多个存储单元堆叠形成；于每个所述闪存串中刻蚀形成一贯穿所述闪存串的电子沟道，并于所述电子沟道与所述存储单元的存储介质之间形成一第一隧道氧化层或一第二隧道氧化层，且所述第二隧道氧化层的厚度小于所述第一隧道氧化层的厚度；步骤S2、于一预设时间内，对采用所述第二隧道氧化层的所述存储单元进行刷新操作，所述刷新操作指将采用所述第二隧道氧化层的所述存储单元中存储的数据转移备份至采用所述第一隧道氧化层的所述存储单元或片外存储单元中；步骤S3、于所述步骤S2之后，将所述数据重新加载至采用所述第二隧道氧化层的所述存储单元中。2.根据权利要求1所述的3D闪存芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中还包括于所述衬底上形成所述3D闪存芯片的外围逻辑电路单元。3.根据权利要求2所述的3D闪存芯片的制作方法，其特征在于，所述外围逻辑电路单元的制作工艺包括利用鳍式场效应晶体管制作工艺或利用全耗尽绝缘体上硅制作工艺。4.根据权利要求1所述的3D闪存芯片的制作方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：景蔚亮，郭继鹏，陈邦明，
申请(专利权)人：上海新储集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31