层间介质层的刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种层间介质层的刻蚀方法，包括：在半导体衬底上依次形成有浮栅介质层、浮栅多晶硅层和层间介质层；在层间介质层上形成图案化的光刻胶层，以光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第一次刻蚀，在层间介质层内形成具有第一深度的第一沟槽，所述第一沟槽沿其深度方向的截面从远离浮栅多晶硅层处到所述浮栅多晶硅层处收缩；以图案化的光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第二次刻蚀，使第一沟槽形成具有第二深度的第二沟槽，第二沟槽沿其深度方向的截面从远离浮栅多晶硅层处到靠近浮栅多晶硅层处收缩；此时，第二沟槽内部沉积有聚合物，第二沟槽底部残留有部分层间介质层；去除聚合物。本发明专利技术能够在层间介质层中形成具有预定形貌的沟槽。

Etching method of interlayer dielectric layer

【技术实现步骤摘要】
层间介质层的刻蚀方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其是涉及一种层间介质层的刻蚀方法。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。闪存为一种非易失性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存己经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。一般而言，闪存为分栅结构或叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪存由于其特殊的结构，相比叠栅闪存在擦除的时候都体现出其独特的性能优势，因此分栅式结构由于具有高的编程效率，字线的结构可以避免"过擦除"等优点，应用尤为广泛。在传统的工艺中，容易出现层间介质层中的用于形成浮栅的沟槽形貌不稳定，且在所述沟槽内形成大量的残留的刻蚀副产物，导致刻蚀中断，不能形成预定形貌的所述沟槽的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底上依次形成有浮栅介质层、浮栅多晶硅层和层间介质层；在所述层间介质层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层形成有第一开口，以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述层间介质层进行第一次刻蚀，在所述层间介质层内形成具有第一深度的第一沟槽，所述第一沟槽沿其深度方向的截面从远离所述浮栅多晶硅层处到靠近所述浮栅多晶硅层处收缩；以及以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述层间介质层进行第二次刻蚀，以使所述第一沟槽形成具有第二深度的第二沟槽，所述第二沟槽沿其深度方向的截面从远离所述浮栅多晶硅层处到靠近所述浮栅多晶硅层处收缩；此时，所述...

【技术特征摘要】
1.一种层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底上依次形成有浮栅介质层、浮栅多晶硅层和层间介质层；在所述层间介质层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层形成有第一开口，以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述层间介质层进行第一次刻蚀，在所述层间介质层内形成具有第一深度的第一沟槽，所述第一沟槽沿其深度方向的截面从远离所述浮栅多晶硅层处到靠近所述浮栅多晶硅层处收缩；以及以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述层间介质层进行第二次刻蚀，以使所述第一沟槽形成具有第二深度的第二沟槽，所述第二沟槽沿其深度方向的截面从远离所述浮栅多晶硅层处到靠近所述浮栅多晶硅层处收缩；此时，所述第二沟槽内部沉积有聚合物，所述第二沟槽底部残留有部分所述层间介质层；去除所述聚合物。2.如权利要求1所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，还包括：以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述层间介质层进行第三次刻蚀，以使所述第二沟槽的底部形成在部分深度的所述浮栅多晶硅层中；去除所述图案化的光刻胶层。3.如权利要求1所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述第一深度小于第二深度。4.如权利要求3所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述第一深度等于四分之三倍的第二深度。5.如权利要求4所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述第一次刻蚀为干法刻蚀，所述刻蚀气体选自Ar、C...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴鸿冉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31