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本发明公开了一种层间介质层的刻蚀方法，包括：在半导体衬底上依次形成有浮栅介质层、浮栅多晶硅层和层间介质层；在层间介质层上形成图案化的光刻胶层，以光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第一次刻蚀，在层间介质层内形成具有第一深度的第一沟槽，所述第一沟...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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