一种红外发光源的电极结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种红外发光源的电极结构，应用于长爬电光电耦合器，所述电极结构包括依次设置的第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、黏合层、第一焊线层、第二焊线层、第三焊线层和第四焊线层。本实用新型专利技术提供的实施例在确保发光源芯片和受光器芯片隔离距离较长的基础上，能够实现更高的焊线工艺容宽，从而提高长爬电光耦焊线的可靠性。

An Electrode Structure of Infrared Light Emitting Source

【技术实现步骤摘要】
一种红外发光源的电极结构
本技术涉及制备发光二极管的
，特别是涉及一种红外发光源的电极结构。
技术介绍
光电耦合器是一种特殊的半导体隔离器件，其工作原理是在光电耦合器输入端加电信号使发光源芯片红外发光二极管发光，通过封装体光路，将红外光照射在受光器芯片上。因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现了电一光一电的转换。由于实现了输入输出端的物理隔离，因此其具备了体积小、寿命长、无触点、抗干扰等优点。而随着市场对器件小型化及更高隔离电压的要求，如图1所示，长爬电光电耦合器应运而生。长爬电光电耦合器的特点是发光源芯片和受光器芯片的错位对射，从而使发光源芯片和受光器芯片的隔离距离更长。然而由于发光源芯片和受光器芯片的焊线往往采用平弧正打或者反打工艺，因此对发光源芯片和受光器芯片的焊线工艺容宽提出了更高的要求，特别是作为简并半导体的红外发光二极管。因此急需一种能够满足红外发光二极管焊线工艺容宽要求的电极结构和制作方法，从而提高长爬电光耦焊线的可靠性。
技术实现思路
为了解决上述问题至少之一，本技术提供一种红外发光源的电极结构，所述红外发光源应用于长爬电光电耦合器，所述电极结构包括依本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外发光源的电极结构，所述红外发光源应用于长爬电光电耦合器，其特征在于，所述电极结构包括依次设置的第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、黏合层、第一焊线层、第二焊线层、第三焊线层和第四焊线层。

【技术特征摘要】
1.一种红外发光源的电极结构，所述红外发光源应用于长爬电光电耦合器，其特征在于，所述电极结构包括依次设置的第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、黏合层、第一焊线层、第二焊线层、第三焊线层和第四焊线层。2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，其中所述第一欧姆接触层的厚度为1000-3000埃，为Au、Ni或Ge中的一种；所述第二欧姆接触层的厚度为500-1500埃，为Au。3.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，其中所述黏合层的厚度为500-1500埃，为Au、Zn或Ti中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯雪瑞，丁东民，杨拓，
申请(专利权)人：华润半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44