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本实用新型公开了一种红外发光源的电极结构，应用于长爬电光电耦合器，所述电极结构包括依次设置的第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、黏合层、第一焊线层、第二焊线层、第三焊线层和第四焊线层。本实用新型提供的实施例在确保发光源芯片和受光器芯片隔离距离较...
该专利属于华润半导体（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润半导体（深圳）有限公司授权不得商用。

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