具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件，包括衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括AlN层、N型AlGaN层、n型布拉格反射层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、P型布拉格反射层、P型GaN接触层；n型布拉格反射层为AlxGa1‑xN层与GaN层交替层叠组成的周期结构；P型布拉格反射层为AlyGa1‑yN层与GaN层交替层叠组成的周期结构。本实用新型专利技术使用N型布拉格反射层的同时，使用P型布拉格反射层来代替传统的P型GaN层作为P型注入层，反射量子阱有源区向P型GaN方向的出射光，量子阱有源区发出的深紫外光从侧面出射，提高深紫外LED器件的发光效率。

Deep Ultraviolet LED Epitaxy Structure and Devices with Double Bragg Reflector

【技术实现步骤摘要】
具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件
本技术涉及光电
，尤其涉及具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。因为LED是一种将电能转换为光能的半导体器件。电光转换过程主要由三步骤构成，首先是电子和空穴的注入和传输到活性区，其次是电子和空穴在活性区的辐射复合发出光子，最后是光从器件表面出来。AlGaN材料施主、受主杂质离化能随Al组分的增加而增大，降低了载流子的浓度，尤其是P型高Al组分的AlGaN材料的空穴浓度极低，同时补偿中心和散射中心的增多造成其迁移率也降低，使得P型AlGaN材料的电导率极低，并无法与金属电极形成良好的欧姆接触，从而不得不采用P型GaN作为最顶上的电极接触层。但由于GaN会本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括在所述衬底上依次设置的AlN层、N型AlGaN层、N型布拉格反射层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、P型布拉格反射层、P型GaN接触层；所述N型布拉格反射层为AlxGa1‑xN层与GaN层交替层叠组成的周期结构；所述P型布拉格反射层为AlyGa1‑yN层与GaN层交替层叠组成的周期结构。

【技术特征摘要】
1.一种具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括在所述衬底上依次设置的AlN层、N型AlGaN层、N型布拉格反射层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、P型布拉格反射层、P型GaN接触层；所述N型布拉格反射层为AlxGa1-xN层与GaN层交替层叠组成的周期结构；所述P型布拉格反射层为AlyGa1-yN层与GaN层交替层叠组成的周期结构。2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述n型布拉格反射层为1-100个周期的AlxGa1-xN/GaN超晶格结构，且AlxGa1-xN层的厚度为1-50nm，GaN层的厚度为1-50nm，超晶格结构使用Si作为n型掺杂剂。3.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜士达，张骏，戴江南，陈长清，
申请(专利权)人：湖北深紫科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42