一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构制造技术

一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，包括：基底以及生长于基底上的N层DBR层，每层DBR层自下而上由低折射率材料层及高折射率材料层构成，该低折射率材料层由AlAs1‑xPx材料制成，该高折射率材料层由Al1‑yGayAs1‑zPz材料制成。通过P元素的掺入可以调节DBR层的晶格常数，使其等于或者接近GaAs基底，形成无应变、低应变或者具有应变补偿的DBR结构，由于没有应变积累，生长过程中不会产生外延片翘曲，获得平整、均匀的外延层。DBR由于没有应变积累，可以生长较多层数，获得较高的反射率。DBR层中P元素的占比很小，几乎不会影响材料的折射率，不会破坏DBR原有的光学性质。

A DBR structure for reducing warpage of GaAs-based epitaxial wafers

【技术实现步骤摘要】
一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构。
技术介绍
分布布拉格反射器(DBR)是采用周期性结构的布拉格反射的反射镜结构，包含了两种光学材料组成的可调节的多层结构。最常用的是四分之一反射镜，其中每一层的厚度都对应四分之一的波长。DBR的工作原理如下，光照射在DBR结构后，在两种材料的每个界面处都发生菲涅尔反射。在工作波长时，两个相邻界面处反射光的光程差为半个波长，另外，界面处的反射系数的符号也会发生改变。因此，在界面处的所有反射光发生相长干涉，得到很强的反射。反射率是由材料的层数和材料之间的折射率差决定的。反射带宽则主要由折射率差决定。根据材料的组成，DBR结构可以分为电解质DBR、光纤DBR及半导体DBR等。其中半导体材料组成的DBR结构广泛应用于发光二极管及半导体激光器中，比如面发射激光器中，DBR结构是最为重要也是制作难度较大的部分。LED及LD中，主要的DBR材料体系为AlGaAsDBR、AlGaInPDBR、AlOyDBR及AlGaInNDBR等。其中AlGaInNDBR主要用于GaN系列的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，其特征在于，包括：基底(1)以及生长于基底(1)上的N层DBR层，每层DBR层自下而上由低折射率材料层(2)及高折射率材料层(3)构成，该低折射率材料层(2)由AlAs1‑xPx材料制成，其中x的取值范围为0.02≤x≤0.06，该高折射率材料层(3)由Al1‑yGayAs1‑zPz材料制成，其中当y≥0.7时，z＝0，当y＜0.7时，z的取值范围为0.01≤z≤0.03。

【技术特征摘要】
1.一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，其特征在于，包括：基底(1)以及生长于基底(1)上的N层DBR层，每层DBR层自下而上由低折射率材料层(2)及高折射率材料层(3)构成，该低折射率材料层(2)由AlAs1-xPx材料制成，其中x的取值范围为0.02≤x≤0.06，该高折射率材料层(3)由Al1-yGayAs1-zPz材料制成，其中当y≥0.7时，z＝0，当y＜0.7时，z的取值范围为0.01≤z≤0.03。2.根据权利要求1所述的降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，其特征在于：所述基底(1)为GaAs材料制成...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱振，张新，于军，郑兆河，肖成峰，徐现刚，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37