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一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构,包括:基底以及生长于基底上的N层DBR层,每层DBR层自下而上由低折射率材料层及高折射率材料层构成,该低折射率材料层由AlAs1‑xPx材料制成,该高折射率材料层由Al1‑yGayAs1‑zPz材...该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。
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一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构,包括:基底以及生长于基底上的N层DBR层,每层DBR层自下而上由低折射率材料层及高折射率材料层构成,该低折射率材料层由AlAs1‑xPx材料制成,该高折射率材料层由Al1‑yGayAs1‑zPz材...