发光二极管的外延片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的缓冲层、u型GaN层、布拉格反射层、n型GaN层、n型AlGaN层、应力释放层、发光层和p型层，布拉格反射层包括交替层叠的多层AlN层和多层AlGaN层。由于AlN层的折射率小于AlGaN层的折射率，且AlN层和AlGaN层的折射率均小于n型GaN层的折射率，发光层发出的光在通过n型GaN层和布拉格反射层的界面时会发生全反射，且在通过AlN层和AlGaN层的界面时也会发生全反射，使向衬底一侧发出的光被反射向p型层一侧，从而提高出光效率，使LED的亮度得到提高。

Epitaxy Wafer of Light Emitting Diode and Its Fabrication Method

The invention discloses an epitaxy sheet of light emitting diode and a manufacturing method thereof, which belongs to the field of photoelectronics manufacturing technology. The epitaxial sheet consists of the substrate and buffer layer, u-GaN layer, Bragg reflector, n-GaN layer, n-AlGaN layer, stress release layer, luminescent layer and p-layer formed on the substrate in turn. The Bragg reflector includes alternating layers of multi-layer AlN layer and multi-layer AlGaN layer. Because the refractive index of AlN layer is less than that of AlGaN layer, and the refractive index of AlN layer and AlGaN layer is less than that of n-GaN layer, the total reflection of light emitted by the luminescent layer occurs when passing through the interface between n-GaN layer and Bragg reflector, and also occurs when passing through the interface between AlN layer and AlGaN layer, so that the light emitted to the side of the substrate is reflected to the side of p-GaN layer, thus enhancing the total reflection. The luminous efficiency of the LED is improved.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管的外延片及其制作方法
本专利技术涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管的外延片及其制作方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。目前GaN基LED外延片通常包括衬底和在衬底上依次生长的缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层和p型层。LED通电后，载流子(包括n型GaN层的电子和p型层的空穴)会向发光层迁移，并在发光层中复合发光。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：为了提高LED的亮度，外延片通常还包括布拉格反射层，但是现有的布拉格反射层提高LED亮度的效果不能满足目前市场的需要。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片及其制作方法，能够进一步提高LED的亮度。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、布拉格反射层、n型GaN层、n型AlGaN层、应力释放层、发光层和p型层，所述布拉格反射层包括交替层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、布拉格反射层、n型GaN层、n型AlGaN层、应力释放层、发光层和p型层，所述布拉格反射层包括交替层叠的多层AlN层和多层AlGaN层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、布拉格反射层、n型GaN层、n型AlGaN层、应力释放层、发光层和p型层，所述布拉格反射层包括交替层叠的多层AlN层和多层AlGaN层。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlN层的厚度和所述AlGaN层的厚度均为应用波长的1/4。3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述多层AlN层和所述多层AlGaN层交替层叠的周期数为1～20。4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述AlN层的折射率为1.87～2.2，所述AlGaN层的折射率为2.22～2.27。5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层包括交替层叠的InxGa1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春杨，吕蒙普，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33