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本实用新型提供了一种具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件，包括衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括AlN层、N型AlGaN层、n型布拉格反射层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、P型布拉格反射层、P型GaN接触层；n型布...
该专利属于湖北深紫科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北深紫科技有限公司授权不得商用。

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